Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6
Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
Подобные документы
Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Розробка функціональних матеріалів на базі ціанофератів перехідних металів, характеристика їх структури, оптичні та електрохімічні властивості, сфери їх застосування. Поняття кінетики і довговічності електрохромних індикаторів, рентгенофазова дифракція.
автореферат, добавлен 28.07.2014Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження властивостей структур на основі пористого кремнію та механізмів їх модифікації під дією поверхневих обробок. Активація фотолюмінісцентних характеристик на імплантованих зразках. Сегрегація бору на границі поділу кремнієвого кристаліту.
автореферат, добавлен 20.04.2014- 32. Вплив умов формування на оптичні властивості J-агрегатів поліметинових барвників РІС та Сyan-bTh
Обладнання для вимірювання оптичних спектрів поглинання та люмінесценції пікосекундного лазерного комплексу. Спектроскопія модифікованих структур J-агрегатів PIC в водних розчинах електроліту. Керування оптичними властивостями J-агрегатів барвника.
автореферат, добавлен 28.08.2015 Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Побудова теорії взаємодії екситонів з домішками, флуктуаціями та неоднорідностями їх розподілу в низьковимірних структурах на основі напівмагнітних напівпровідників. Механізми парамагнітного підсилення гігантського спінового розщеплення екситонних рівнів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 36. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Дослідження синтезу вторинних структур на поверхні тертя самозмащувального композиційного матеріалу на основі міді при роботі у вакуумі у парі зі сталлю при заданих тисках і швидкості ковзання. Структурний і фазовий аналіз вторинних змащувальних плівок.
статья, добавлен 29.01.2016Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження структурно-фазового складу лінійних і нелінійних оптичних властивостей керамічних композитних матеріалів на основі SiC, AlN і Si3N4. Показники заломлення та поглинання, провідності композиту. Вивчення властивостей керамічних матеріалів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Аналіз ефективних спектроаналітичних методів визначення оптичних характеристик нанорозмірних металевих часток. Використання селективних металеводіелектричних структур на основі ультрадисперсних конденсатів нікелю і хрому в енергозберігаючих системах.
автореферат, добавлен 13.07.2014Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження фотоіндукованих змін в світлочутливих аморфних халькогенідних плівках. Механізм формування поверхневого рельєфу при голографічному записі в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і аморфного селену.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014