Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6
Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
Подобные документы
Закономірності фазо- та структуроутворення композиційних матеріалів на основі диборидів перехідних металів, отриманих методом реакційного гарячого пресування. Високотемпературне пресування шихти з порошків. Формування металокерамічного матеріалу.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розробка теоретичних основ для дослідження контракцій алгебри Лі та їх застосування до вивчення контракцій та структур многовидів низькорозмірних алгебри Лі. Перегляд класифікації векторних полів на площині та опис їх диференціальних інваріантів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Створення автоматизованої системи побудови геогустинних моделей шаруватих середовищ, придатної до експлуатації в геологічних ситуаціях на основі розвитку теорії і методики розв’язування обернених задач структурної гравіметрії (особливо тривимірних).
автореферат, добавлен 21.11.2013Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Задачі електродинаміки, пов’язані з поширенням НВЧ-хвиль в хвилеводах з довільними кусково-координатними межами та з аналізом хвилеводних структур на їх основі. Алгоритми програм для аналізу та оптимізації електродинамічних структур НВЧ-діапазону.
автореферат, добавлен 12.07.2014- 81. Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербію
Теоретичне встановлення закономірностей та ефектів, пов’язаних з переходом до низьковимірного стану епітаксіальних надграток з халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів. Електричні, оптичні та магнітні властивості надграток.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Розробка математичної моделі дифузії домішок азоту та їх взаємодії з атомами підґратки миш’яку. Визначення вливу температури нітридизації і величини поруватості підкладок на кристалографічні, морфологічні та оптичні властивості гетероепітаксійних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2015Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Особливості дискретного регулювання напруги регуляторів спрямленого струму, побудованих на основі трансформаторно-ключових виконавчих структур. Можливість зменшення кількості напівпровідникових елементів. Розгляд основних вимог до виду живлячого струму.
статья, добавлен 26.02.2016Характеристики відеоекранів на базі повноколірних світлодіодів. Електрооптичні ефекти у холестеричних РК. Особливості оптоелектроніки з неорганічних, органічних напівпровідників і рідкокристалічних матеріалів. Моделювання світлового випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення взаємодії пограничного шару на твердій поверхні з крупномасштабними вихоровими збуреннями у потоку в’язкої рідини на основі розв’язку рівнянь Нав’є-Стокса. Спотворення форми вихору Ламба. В’язка взаємодія вихорових структур зі зсувною течією.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів SiOx/SiNx та поруватого кремнію на ефективність сонячних елементів. Розробка методу керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Бреггівським дзеркалом.
автореферат, добавлен 25.07.2015Дослідження впливу зарядових і розмірних ефектів на енергетичні і транспортні характеристики низькорозмірних металевих структур. Принципи виникнення аномальної електрострикції. Модифікація теорії одноелектронного тунелювання крізь металеві квантові точки.
автореферат, добавлен 25.02.2015Закономірності впливу енергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1–xSex, вкраплених у боросилікатну скляну матрицю, порівняння з радіаційними дефектами у склоподібних матеріалах класу силікатів.
автореферат, добавлен 24.06.2014З’ясування мікроскопічного механізму фазових перетворень. Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників, пов’язаної з виникненням квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях.
автореферат, добавлен 25.02.2015Об'ємні композити системи Bi(Sb)2S3-As2S3 та аморфні багатошарові наноструктури на основі халькогенідних напівпровідників As2S3 з Bi i Sb. Зміна оптичних та електрофізичних властивостей нанокомпозитів за рахунок фото- і термоіндукованих процесів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Закономірності формування структурно-фазового складу і електрофізичних властивостей двошарових плівок на основі Nі і V, Cr, Co. Розрахунок ефективних коефіцієнтів взаємної дифузії атомів у процесі зерномежової конденсаційно-стимульованої і термодифузії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Дослідження впливу умов отримання та модифікації вуглецевих матеріалів на їх структурну досконалість, оптичні та механічні властивості. Вивчення полікристалічних алмазних та аморфних алмазоподібних плівок. Оцінка нанопористі вуглецевих композитів.
автореферат, добавлен 12.08.2014Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Метод розрахунку параметрів електронної структури сплавів на основі перехідних елементів з врахуванням впливу топологічного розупорядкування атомів. Моделювання густини електронних станів АМС на основі Ni, порівняння результату з даними досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014Закономірності формування структури в кристалічних і аморфних сплавах на основі перехідних металів під впливом термоциклічної дії за участю фазових переходів І та ІІ роду. Загальні тенденції фазоутворення при різних швидкостях термічного впливу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015