Основы физики полупроводниковых диодов
Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
Подобные документы
Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Изучение физики твердого тела и ядерной физики академиком Игорем Васильевичем Курчатовым. Проведение исследования свойств диэлектриков и сегнетоэлектричества. Особенность разработки метода размагничивания кораблей для защиты от магнитных морских мин.
статья, добавлен 26.04.2019Практическое развитие нанооптики. Использование наноматериалов для изготовления защитных и светопоглощающих покрытий, спортивного оборудования, транзисторов, светоиспускающих диодов, топливных элементов, лекарств и медицинской аппаратуры, лазеров.
статья, добавлен 01.03.2019Особенность принципа действия топливных элементов. Основные проблемы электрохимического устройства. Анализ применения природного газа и угля в качестве исходного топлива. Характеристика энергоустановок со щелочным и твердополимерным электролитом.
контрольная работа, добавлен 07.04.2015Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Статические параметры и характеристики элементов автоматики. Абсолютная и относительная погрешность. Общие сведения о реле, их значение. Логические устройства на интегральных микросхемах. Пути улучшения логических характеристик данных устройств.
контрольная работа, добавлен 14.11.2010Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 13.09.2017- 34. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Преобразователи на двойных электрических слоях. Типы асимметричных электродных систем. Преобразователи на полупроводниковых интегральных микросхемах. Чувствительность ДЭС к воздействию физических факторов. Биологические детекторы и их принцип работы.
контрольная работа, добавлен 24.01.2018Проведение исследования электрической реакции, возникающей в ответ на дистантное воздействие особы. Экспериментальное обнаружение высокопроникающего неэлектромагнитного компонента излучения человека с применением датчиков на интегральных микросхемах.
контрольная работа, добавлен 16.01.2018Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Формирование неповторяющегося импульса ударного тока большой величины, базирующейся на использовании принципа дискретной суперпозиции зарядов в электрической цепи обмотки. Испытание силовых полупроводниковых диодов на устойчивость к его воздействию.
статья, добавлен 10.04.2018Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Ознакомление с примером альфа-распада сверхтяжелого ядра сиборгия. Рассмотрение особенностей классификации нейтронов по энергиям. Характеристика принципа действия полупроводниковых детекторов. Анализ особенностей радиохимических методик концентрирования.
контрольная работа, добавлен 18.05.2016Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Понятие электрического тока как переноса электрических зарядов. Характеристика основных структурных элементов атома. Особенности и порядок использования принципа Паули. Сущность туннельного эффекта и принцип действия функции распределения Ферми-Дирака.
лекция, добавлен 29.10.2013Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Наблюдение преобразований и искажений сигналов нелинейными элементами. Ознакомление с методами расчёта в режимах большого и малого сигналов. Активные элементы электрических цепей. Комплексное изучение вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
методичка, добавлен 25.02.2014Обобщение инерционных свойств транзисторов, которые начинают проявляться при быстром изменении сигнала. Причины ограничения частотных свойств транзисторов и возникновения их шумов или хаотическое изменение тока коллектора под действием различных факторов.
презентация, добавлен 20.07.2013Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
курсовая работа, добавлен 29.05.2024Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.
реферат, добавлен 08.03.2014Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Особенность влияния воздействий эксплуатационных факторов на процесс старения электрической изоляции электродвигателей. Проведение исследования метода учета воздействия напряжения, температуры окружающей среды, ее влажности и механической вибрации.
статья, добавлен 18.12.2017