Основы физики полупроводниковых диодов
Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
Подобные документы
Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Виды транзисторных усилителей, основные задачи при их проектировании. Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статистические характеристики транзисторов. Статические и дифференциальные параметры транзисторов. Обратные связи в усилителях.
лекция, добавлен 09.04.2015Исследование конструкции и электрофизических параметров микрострипового детектора частиц и излучений. Анализ технологии изготовления стрип-детекторов с емкостной связью с p-n переходами, резисторами и переходными конденсаторами на кремниевом кристалле.
статья, добавлен 03.10.2013Рассмотрение устройства и принципа действия ограничителей перенапряжения. Исследование современных материалов нелинейных резисторов. Схемы ограничителей перенапряжений, их присоединения к электрическим сетям. Обслуживание и методы диагностики резисторов.
реферат, добавлен 03.06.2020Содержание теории электрических, электронных и магнитных цепей. Анализ устройства и принципа действия электрических машин, аппаратов, электроизмерительных и электронных приборов. Основы электроснабжения и автоматического управления электроустановками.
книга, добавлен 14.03.2014Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Проведение исследования прочности, жесткости и устойчивости элементов конструкций. Виды нагрузок и схематизация элементов сооружений. Характеристика закона парности касательных напряжений. Определение внутренних силовых факторов в сечениях бруса.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Классификация электрических цепей. Изучение методов исследования, принципа действия, особенностей и характеристик нелинейных и параметрических цепей. Схема приемника распространенного супергетеродинного типа при использовании амплитудной модуляции.
лекция, добавлен 31.10.2017Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Проведение исследования абсолютно твердого тела и материальной точки. Основная классификация и система сил. Характеристика основных аксиом статики. Главный анализ правил для определения направления реакций. Особенность принципа освобождаемости от связей.
лекция, добавлен 14.01.2016Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Электромеханические системы для построения электромагнитных реле: с втягивающим, поворотным и поперечным движением якоря. Схемы подключения реле прямого и косвенного действия. Полупроводниковые реле с использованием диодов, транзисторов, тиристоров.
реферат, добавлен 04.04.2018Применение тиристоров и IGBT-транзисторов в качестве полупроводниковых модулей в мощных инверторах. Подбор снабберных элементов для модуля CM600DY-24F. Выбор конденсаторов для входного выпрямителя. Вычисление уравнительных резисторов для инвертора.
контрольная работа, добавлен 01.12.2016Появление усилительных элементов – транзисторов, интегральных схем и других электронных приборов, усиливающих электрические сигналы. Создание широкополосных усилителей гармонических и импульсных сигналов, предназначенных для телевидения, радиолокации.
контрольная работа, добавлен 09.10.2018Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Описание принципа действия вакуумного диода, его вольтамперная характеристика. Строение триода, понятие тетрода и пентода. Описание устройства, принципиальной схемы ряда электронных приборов, их применение для исследования атомного строения тел.
реферат, добавлен 21.04.2009Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Проведение исследования магнитного поля и его характеристик. Существенная особенность установления закона Био-Савара-Лапласа. Изучение явления электромагнитной индукции. Анализ генератора переменного тока. Определение принципа работы трансформатора.
лекция, добавлен 08.04.2018Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015Краткая биография великих физиков России: Ж.И. Алферова, Д.И. Блохинцева, В.С. Ивановича, Я.Б. Зельдовича, П.Л. Капица, А.Я. Орлова и пр. Их основной вклад в развитие науки физики: открытие полупроводников, люминесценции, фотоэффекта, атомов, радио и пр.
презентация, добавлен 05.11.2016Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013- 98. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Особенность применения метода графического интегрирования. Использование способа изоклин для решения задач первого порядка. Анализ методики составления уравнений состояния на основе принципа наложения. Характеристика собирания дискретных моделей.
реферат, добавлен 30.03.2017Проверка действия независимых расцепителей автоматов. Измерения сопротивления изоляции кабелей и коэффициента абсорбции. Ревизия элементов вторичных устройств. Проверка и испытания изоляции стульев подшипников и маслопроводов электрических машин.
контрольная работа, добавлен 18.01.2014