Разработка маршрутной технологии металлизации структуры интегральных схем на БиКМОП элементах (металлизация Al-SiO2-Al)

Методы нанесения слоя фоторезиста на подложки микросхемы. Схема удаления и проявления фоторезиста. Нанесение слоя оксида кремния SiO2 в качестве межуровнего диэлектрика и низкотемпературного фосфоросиликатного стекла. Контроль блока металлизации.

Подобные документы

  • Характеристика технологии изготовления печатных плат (конструктива электронных устройств, представляющего собой жесткую или гибкую пластинку из диэлектрика). Функциональные и технологические платы и строение их микрокорпусов. Методы нанесения рисунка.

    курсовая работа, добавлен 22.07.2011

  • Анализ схемы технологического процесса изготовления многослойных печатных плат с использованием метода металлизации сквозных отверстий. Методика определения погрешности расположения контактной площадки при изготовлении односторонних печатных плат.

    контрольная работа, добавлен 09.12.2021

  • Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 28.03.2016

  • Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.

    курсовая работа, добавлен 03.04.2019

  • Технологические погрешности диэлектрического слоя. Расчет толщины, удельной емкости диэлектрика. Допустимая погрешность активной площади конденсатора. Площадь перекрытия обкладок, геометрические размеры. Топологическая схема пленочного конденсатора.

    лабораторная работа, добавлен 25.12.2013

  • Измерение динамических электрических параметров микросхем. Примеры существующих измерительных установок для проверки цифровых интегральных схем. Особенности практической реализации блока коммутации измерительной установки измерительной системы.

    дипломная работа, добавлен 06.06.2018

  • Разработка собственной комплексной системы автоматизированного проектирования. Создание маршрута планирования больших интегральных схем на основе аналого-цифрового базового матричного кристалла. Характеристика построения топологии переменного слоя.

    статья, добавлен 29.06.2017

  • Описание технологии изготовления микросхемы операционного усилителя. Цоколевка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы усилителя.

    курсовая работа, добавлен 22.03.2018

  • Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.

    реферат, добавлен 12.01.2013

  • Разработка технических требований на микросхему. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов. Определение размера платы и выбор типоразмера корпуса. Расчет теплового режима резисторов. Очистка поверхности и контроль подложек. Нанесение тонких плёнок.

    курсовая работа, добавлен 10.08.2015

  • Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.

    курс лекций, добавлен 21.03.2011

  • Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2013

  • Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.

    автореферат, добавлен 30.01.2018

  • Разработка структурной и электрической схемы микроконтроллера на базе заданных в варианте микропроцессорных интегральных схем и его программирование для работы с двухпозиционным регулятором по заданному закону регулирования. Микросхемы ОЗУ и ПЗУ.

    курсовая работа, добавлен 04.08.2010

  • Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.

    доклад, добавлен 22.05.2016

  • Плюсы и недостатки метода ионной имплантации в технологии ИС. Цели ступенчатого ионного легирования. Определение необходимой толщины маскирующего окисла при проведении ионной имплантации. Маскирующие свойства SiO2 при легировании различными примесями.

    контрольная работа, добавлен 03.10.2017

  • Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.

    контрольная работа, добавлен 25.05.2012

  • Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.

    курсовая работа, добавлен 25.12.2012

  • Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.

    контрольная работа, добавлен 24.09.2012

  • Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.

    статья, добавлен 23.03.2018

  • Исследование электронных ключей на биполярных транзисторах и интегральных логических микросхем. Мультивибраторы на логических элементах. Триггерные структуры на интегральных микросхемах. Принцип действия реверсивного двоичного счетчика импульсов.

    методичка, добавлен 18.04.2014

  • История развития интегральных схем. Назначение, принцип работы, параметры, ведущие производители ПЛИС. Влияние развития ПЛИС на конструирование и технологию печатного узла. Разработка конструкции, удовлетворяющей требованиям целостности сигнала и питания.

    методичка, добавлен 22.01.2016

  • Повышение селективности детектирования водородсодержащих газов металлооксидными чувствительными элементами интегральных датчиков. Влияние амплитуды и профиля нагрева на характер отклика газочувствительного слоя, легированного разными катализаторами.

    автореферат, добавлен 02.08.2018

  • Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.

    реферат, добавлен 01.02.2011

  • Формирование развернутого технического задания на проектирование устройства. Описание схемы электрической принципиальной с указанием функциональных связей. Расчет печатного плана, теплового режима и механических воздействий. Разработка маршрутной карты.

    курсовая работа, добавлен 13.04.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.