Описание транзисторов

Характеристика транзистора как электронного прибора. Примеры транзисторных схем. Использование эмиттерных повторителей в качестве стабилизаторов напряжения, смещение в эмиттерном повторителе. Схема расщепления фазы с единичным коэффициентом усиления.

Подобные документы

  • Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.

    статья, добавлен 15.08.2013

  • Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.

    курсовая работа, добавлен 14.06.2020

  • Измерение напряжения на транзисторе в режиме покоя. Величина максимального напряжения сигнала на входе усилителя. Определение коэффициента усиления по напряжению. Амплитудно-частотная характеристика усилителя. Расчет коэффициента усиления по напряжению.

    статья, добавлен 21.10.2015

  • Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.

    реферат, добавлен 30.08.2010

  • Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.

    реферат, добавлен 01.06.2014

  • Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.

    статья, добавлен 08.06.2018

  • Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2012

  • Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.

    реферат, добавлен 08.06.2021

  • Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.

    учебное пособие, добавлен 21.08.2015

  • Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.

    отчет по практике, добавлен 25.10.2012

  • Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.

    статья, добавлен 21.10.2016

  • Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.

    контрольная работа, добавлен 31.10.2014

  • Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.

    реферат, добавлен 21.02.2015

  • Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.

    реферат, добавлен 24.04.2017

  • Наблюдение небольших нелинейных искажений. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада (четырехполюсника). Влияние температуры. Зависимость от соотношения входного сопротивления транзистора. Синусоидальная ЭДС.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.

    контрольная работа, добавлен 26.01.2015

  • Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.

    контрольная работа, добавлен 28.12.2014

  • Защита от перегрузки. Питание источника опорного напряжения от входного, а не выходного напряжения. Импульсные стабилизаторы напряжения. Применение операционных усилителей в стабилизаторах. Температурный коэффициент выходного напряжения стабилизатора.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Основная характеристика назначения осциллографа. Особенность наблюдения на экране процессов, изменяющихся во времени. Использование звукового генератора в качестве источника переменного напряжения. Определение чувствительности электронно-лучевой трубки.

    контрольная работа, добавлен 13.09.2015

  • Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.

    диссертация, добавлен 12.01.2017

  • Определение числа каскадов усиления и составление структурной схемы усилителя низкой частоты. Схема оконечного каскада усиления на комплементарных парах транзисторов. Постоянный ток базы в рабочей точке. Сопротивление нагрузки RК в цепи коллектора.

    курсовая работа, добавлен 16.02.2015

  • Выбор режима работы мощного усиления. Расчет способа включения транзистора и точки покоя по семейству выходных характеристик транзистора. Расчет коэффициента трансформации, активных сопротивлений первичной и вторичной обмоток выходного трансформатора.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2016

  • Понятие усиления мощности как частного случая управления энергией, описание устройства усилителя, их типы. Расчет каскада предварительного усиления, его амплитудно-частотной характеристики, стабилизированного источника напряжения и выпрямителя.

    курсовая работа, добавлен 19.05.2009

  • Структурная схема КВ-приёмника прямого усиления. Анализ условий применения. Класс использования прибора. Нормы климатических и механических воздействий для изделия. Классификация объекта по признакам при расчёте показателей надёжности и критериев отказа.

    курсовая работа, добавлен 27.10.2012

  • Применение двухтактных транзисторных каскадов в усилителях мощности. Использование двухтактным каскадом экономичного режима без заметных нелинейных искажений. Сопряжение проходных характеристик транзисторов в двухтактном усилителе с исходным смещением.

    курсовая работа, добавлен 07.01.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.