Описание транзисторов
Характеристика транзистора как электронного прибора. Примеры транзисторных схем. Использование эмиттерных повторителей в качестве стабилизаторов напряжения, смещение в эмиттерном повторителе. Схема расщепления фазы с единичным коэффициентом усиления.
Подобные документы
Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009- 102. Диоды и транзисторы
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014 Построение усилителя с большим коэффициентом усиления. Метод дифференциального каскада. Коэффициент ослабления синфазного сигнала. Напряжение смещения нуля. Температурная чувствительность напряжения смещения нуля. Верхний предел частотной характеристики.
лекция, добавлен 30.07.2013Схема базового амплитудного модулятора, в котором модуляция осуществляется изменением напряжения смещения. Статическая модуляционная характеристика при базовой модуляции. Схемотехнические решения транзисторных частотно-фазовых модуляторов, график функций.
реферат, добавлен 17.06.2014Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013Принцип действия электронного генератора. Общие сведения о генераторах с внешним возбуждением. Особенности регенеративного усиления. Механизмы синхронизации и деления частоты. Исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) полевого транзистора.
курсовая работа, добавлен 15.09.2015Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Назначение и структурная схема стабилизатора напряжения. Выбор транзистора по максимальному току коллектора, его входная и выходная характеристики. Стабилизация тока, расчёт параметров, индикация состояния стабилитрона. Защита нагрузки от перенапряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Сущность опорного напряжения и его значение в бесперебойной работе стабилизатора. Источники опорного напряжения на стабилитронах, их схема и качество стабилизации. Преимущества ИОН, использующих в качестве опорного параметра напряжение защищенной зоны.
реферат, добавлен 14.02.2009Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Общая характеристика напряжения прикосновения и напряжения шага. Измерение сопротивления заземляющего устройства. Описание технических средств защиты в электроустановках. Электрическое разделение сетей. Использование малого напряжения и изоляция.
реферат, добавлен 15.11.2008Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Осуществление выбора типов интегральных схем и транзисторов. Определение потерь площади усиления при эммитерной коррекции по сравнению с простой коррекцией. Определение соответствия параметров спроектированного усилителя требованиям технического задания.
курсовая работа, добавлен 02.01.2021Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
статья, добавлен 29.05.2017Расчёт интегрирующего операционного усилителя с выходным усилительным каскадом на транзисторах. Определение мощности, которая выделяется на нагрузке, тока и величины напряжения питания. Выбор транзисторов. Коэффициент усиления инвертирующего усилителя.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011Создание операционного усилителя с хорошим коэффициентом усиления для схемы с общим эмиттером. Использование метода дифференциального каскада для борьбы с температурным дрейфом в биполярных транзисторах. Значение синфазного сигнала. Характеристики ОУ.
лекция, добавлен 01.09.2013Отсутствие собственной компенсации погрешностей конечной величины коэффициента усиления по току базы транзисторов - недостаток операционных усилителей с высокоимпедансным узлом. Амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению.
статья, добавлен 30.05.2017Определение основных параметров несимметричного мультивибратора. Вычисление максимально допустимого напряжения между коллектором и базой транзистора, его выбор по коэффициенту усиления. Расчет мощности резисторов и номинальной емкости конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 08.02.2013