Параллельные вычисления в задачах физико-топологического моделирования физических процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия
Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
Подобные документы
Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Численное физико-топологическое моделирование для оптимизации толщины перовскитовых солнечных элементов на основе гетероструктуры. Анализ использования численного физико-топологического моделирования для разработки перовскитовых солнечных элементов.
статья, добавлен 11.01.2018Разработка автоматизированной системы Асоника-ТМР. Изучение теории математического моделирования полей и процессов различной физической природы, взаимодействующих друг с другом в единой неоднородной среде. Суть системных методов теории чувствительности.
статья, добавлен 08.12.2018Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Анализ решений научно-технической задачи повышения эффективности систем автоматизации проектирования топологии микроэлектронных устройств с учетом помехоустойчивости. Разработка алгоритмов проектирования с учетом помехоустойчивости топологии в канале.
статья, добавлен 14.09.2016Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Изучение уравнений, описывающих электронно-волновое взаимодействие. Проведение исследования метода эквивалентных цепочек. Особенность получения дисперсионных характеристик петляющего волновода и зависимости коэффициента связи от сопротивления связи.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Анализ процессов в схемах однополупериодного и двухполупериодного выпрямителей. Сравнение форм входного и выходного напряжений. Определение частоты выходного сигнала. Анализ обратного напряжения на диоде. Сравнение значений выходного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 23.06.2014Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Теоретические основы моделирования тепловых процессов. Способы обеспечения теплоотвода космической аппаратуры. АСОНИКА как инструмент математического моделирования физических процессов. Исследование тепловых процессов телекоммуникационного устройства.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Применение резисторов специального назначения в измерительных приборах, системах автоматики, счетно-решающих устройствах. Сопротивление подстрочных резисторов. Устройство пленочного резистора. Характеристики резисторов. Система условных обозначений.
контрольная работа, добавлен 06.02.2012Результаты выбора параметров и анализа моделей радиолокационных изображений, полученных в результате решения линейных дифференциальных уравнений в частных производных второго порядка. Гиперболическое, параболическое и эллиптическое решение уравнений.
статья, добавлен 30.10.2018Характеристики и архитектура микропроцессоров. Функции, выполняемые микропроцессорами в приборах. Улучшение метрологических характеристик приборов. Контрольно-измерительная техника. Развитие измерительной системы, наращивание, расширение ее функций.
курсовая работа, добавлен 24.11.2013Применение статистического моделирования радиолокационного канала перспективных РЛС, использующих сигналы со сложной поляризационной структурой для задач селекции стабильных целей на фоне пассивных помех. Измерение матрицы рассеяния или её инвариантов.
статья, добавлен 03.11.2018Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Классификация датчиков, применяемых в электронных измерительных приборах, их основные характеристики. Обобщение выполненного анализа существующих сенсорных технологий и характеристик сенсоров (датчиков). Задачи визуализации полученной информации.
доклад, добавлен 02.07.2018Изучение стохастических систем при импульсных воздействиях, образующих пуассоновские потоки событий и приводящих к разрывам траекторий системы. Решение задачи нахождения плотности вероятности вектора состояния. Влияние импульсов на электрические цепи.
статья, добавлен 06.11.2018Определение и назначение элементов системы автоматического управления. Передаточная функция и частотная характеристика. Интегродифференцирущие звенья. Критерий устойчивости Найквиста. П- и И-регуляторы, расчет их настройки, примеры решения задач.
контрольная работа, добавлен 15.07.2014Модули систем видеонавигации. Определение местоположения летательного аппарата. Бесплатформенная инерциальная навигационная система. Использование видеонавигации в военной технике и специализированных приборах спутникового GPS-мониторинга автотранспорта.
реферат, добавлен 04.04.2015