Параллельные вычисления в задачах физико-топологического моделирования физических процессов в перспективных полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия
Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
Подобные документы
Сведения об измерениях и измерительных приборах. Генераторы стандартных сигналов и электронно-лучевые осциллографы. Измерение частоты термоэлектрического преобразователя. Спектроанализатор с перестраиваемым фильтром, воздействие на колебательные контуры.
учебное пособие, добавлен 06.12.2011Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Характеристика основных типов термодатчиков. Разработка системы диагностирования температуры среды на основании металлических и полупроводниковых датчиковых измерителей аппаратуры. Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции.
курсовая работа, добавлен 23.12.2012Внедрение перспективных технологий. Сценарии помех систем ВРНС от систем подвижной службы. Применение частотного плана FDD, параметров базовых станций, абонентских терминалов ПС. Принцип взаимной координации. Учет особенностей размещения и работы станций.
реферат, добавлен 01.11.2013Составление эквивалентной электрической схемы и расчёт аналитического режима электропередачи. Составление дифференциальных уравнений движения Горева-Парка для электромеханических процессов. Расчёт частных производных по параметрам регулирования.
курсовая работа, добавлен 12.12.2012Синтез поведенческой модели сенсора линейного ускорения с двумя осями чувствительности в среде Simulink пакета MatLab. Результаты моделирования сенсора в виде переходных процессов и спектрального анализа при реакции системы на внешние воздействия.
статья, добавлен 29.06.2017Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014- 109. Основы метрологии
Определение пикового, среднеквадратического и средневыпрямленного значения напряжения несинусоидальной формы, поданного на вход электронного вольтметра с пиковым детектором со шкалой. Характеристика общих сведений о цифровых измерительных приборах.
контрольная работа, добавлен 22.01.2016 - 110. Моделирование распространения электромагнитных волн в помещении c учетом влияния местных предметов
Рассмотрение вопросов построения математической модели распространения электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона в помещении прямоугольной формы с учетом влияния местных предметов. Сравнение результатов математического моделирования.
статья, добавлен 30.10.2018 Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.
реферат, добавлен 17.02.2022Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013Длина экранирования Дебая. Распределение концентрации носителей, заряда и поля в частично освещенном полупроводнике. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Спектральное распределение фототока. Появление диффузионного тока.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Преимущества и недостатки последовательных и параллельных корректирующих устройств. Способы обеспечения точности отработки входного воздействия. Амплитудная и фазовая частотные характеристики. Расчёт передаточной функции системы. Виды обратной связи.
контрольная работа, добавлен 22.07.2015Разработка математической модели функционирования корпоративной информационной системы в режиме информационного обслуживания без учета влияния блокировок. Аналитические выражения для вычисления интегральных характеристик системы, запросов пользователей.
статья, добавлен 27.07.2017Основные понятия о приборах, измеряющих радиацию. Свойства, виды и источники радиоактивных излучений. Технические характеристики носимых индивидуальных дозиметров-радиометров. Общие указания по эксплуатации и обслуживанию. Стандарты калибровки дозиметров.
реферат, добавлен 02.04.2014Основные физические явления, используемые в квантовых приборах. Населенности энергетических уровней при термодинамическом равновесии. Переходы микрочастиц между энергетическими уровнями. Квантовые парамагнитные усилители. Квантовые стандарты частоты.
учебное пособие, добавлен 10.12.2013Изучение теоретического аппарата анализа информационно-управляющей системы с учетом ошибок контроля и управления. Базовая марковская модель ошибок контроля. Зависимость вероятности нахождения в работоспособном состоянии от интенсивности профилактики.
статья, добавлен 29.06.2016Описание информационной структуры региональной системы агрокосмического мониторинга сельскохозяйственных земель с учетом информационных потребностей в решении задач по оценке состояния сельскохозяйственных культур и возможностей спутниковой аппаратуры.
статья, добавлен 26.04.2017Формирование цилиндрического пучка с учетом распределения поля его пространственного заряда. Анализ поля системы электродов в пространстве, ход нулевой эквипотенциали. Расчет электродов, формирующих осесимметричный пучок в режиме ограничения тока.
статья, добавлен 04.11.2018Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Чувствительность к перегрузке и изменению температуры - одна из отличительных особенностей полупроводниковых приборов. Методика определения постоянной составляющей анодного тока в пиковой точке. Анализ системы охлаждения радиопередающего устройства.
курсовая работа, добавлен 28.01.2019Расчет пределов применения квазистатического приближения по оценке характера электромагнитных полей с учетом нелинейности. Математическая модель прибора цифровой оценки сигналов биоэнергетической природы на основе дискретного преобразования Фурье.
автореферат, добавлен 14.02.2018Сведения о цифровых приборах, методы и конструкция цифрового устройства для измерения ёмкости конденсаторов и краткая характеристика о его микроконтроллерном измерителе. Анализ опасных и вредных факторов и требования, предъявляемые к электробезопасности.
контрольная работа, добавлен 14.03.2014- 125. Основы электроники
Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014