Вплив одиничних дефектів на нелінійну провідність квантових контактів
Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
Подобные документы
Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Дослідження впливу короткосяжних кореляцій на енергетичний спектр одновимірних систем з іонним та протонним типами провідності. Аналіз перебудови енергетичного спектру при зміні температури. Опис ефектів, що мають місце в околі суперіонного переходу.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розробка теоретичної та експериментальної бази для проведення досліджень квантових кристалів за умов наднизьких температур. Дослідження особливостей кінетичних процесів, що відбуваються в квантових кристалах в період ізотопічних фазових переходів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Аналіз методами оптичної спектроскопії розподілу розмірів квантових точок, синтезованих у матриці боросилікатного скла. Закономірності еволюції краю смуги поляризаційного поглинання оптичних хвиль, структура спектрів фотолюмінесценції квантових точок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Поведінка енергетичних рівнів хвильових функцій, оптичні параметри екситонів у подвійних квантових ямах на базі напівмагнітних напівпровідникових сплавів. Використання в якості спінового фільтра системи CdTe з домішками Mn. Розрахунок спінового фільтру.
автореферат, добавлен 24.07.2014Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Встановлення залежності енергетичних і силових характеристик низькорозмірних металевих систем від розмірів і форми поверхні. Дослідження квантових розмірних ефектів в субатомних металевих структурах. Поверхнева енергія і робота виходу електронів.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 33. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 Отримання хвильової функції і зонного спектру стиснутого двошарового графену, виразів для тензора провідності при стискові напрямку як "крісла" і "зигзагу". Використання анізотропії провідності при створенні нових чутливих тензорів механічних напружень.
статья, добавлен 27.02.2016З’ясування мікроскопічного механізму фазових перетворень. Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників, пов’язаної з виникненням квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях.
автореферат, добавлен 25.02.2015Встановлення дії структурних дефектів росту на транспортні процеси та механізми розсіювання носіїв струму в тонких плівках халькогенідів свинцю. Вплив міжфазних і міжзеренних меж та дислокацій невідповідностей на механізми розсіювання носіїв струму.
автореферат, добавлен 28.08.2015Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Аналіз вивчення класичної електронної теорії металевої провідності. Головна сутність швидкості розповсюдження електричного струму в провідниках. Особливість використання надпровідності металів. Вольт-амперна характеристика хімічних елементів і речовин.
контрольная работа, добавлен 31.10.2016Вивчення внеску додаткового розсіювання електронів на межах поділу шарів у величину КТ тришарових плівок на основі Cu, Cr та Sc. Експериментальний аналіз і оцінка внеску окремих шарів з різним питомим опором в загальну величину КТ плівкової системи.
статья, добавлен 23.10.2010Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Механізми впливу приєднання біомолекул на люмінесцентні характеристики квантових точок на основі CdSe. Дослідження термічної стабільності структур з квантовими точками на основі CdSe, одержаних методами колоїдної хімії та молекулярно-пучкової епітаксії.
автореферат, добавлен 12.07.2015Фізичні процеси, які виникають на межі поділу контактів Ti (Ni) – n-SiC, які традиційно використовуються, а також TiBx (ZrBx) – n-SiC, під час активних впливів. Розробка терморегулюючого пристрою на діапазон температур 77–1000 К, його структура.
автореферат, добавлен 28.07.2014Теорія електронного та екситонного спектра у надгратці циліндричних напівпровідникових квантових точок. Теорія активної провідності та її залежність від геометричних параметрів циліндричної напівпровідникової двобар’єрної резонансно-тунельної структури.
автореферат, добавлен 27.07.2015Природа особливостей в нелінійній електропровідності та магнітоопорі точкових нанорозмірних контактів на основі плівкових структур з феромагнітних матеріалів. Застосування методу мікроконтактної спектроскопії для характеризації досліджуваних контактів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Оптичні методики вивчення особливостей процесів фотолюмінесценції та комбінаційного розсіювання світла у самоіндукованих наноострівцевих структурах CdSe/ZnSe. Технологічні параметри отримання квантових точок в одношарових та багатошарових наноструктурах.
автореферат, добавлен 11.08.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Встановлення закономірностей колективної рекомбінації у низькорозмірних структурах при високих рівнях збудження. можливості використання явища для створення фемтосекундних випромінювачів світла. Програма обрахунку енергетичної структури квантових шарів.
автореферат, добавлен 05.08.2014Оцінка впливу магнетопружної взаємодії на стабілізацію дальнього магнетного порядку. Вивчення фазових і динамічних характеристик двовимірних квантових феромагнетиків при наявності біквадратичної, магнетодипольної взаємодій та одноіонної анізотропії.
автореферат, добавлен 24.02.2014Аналіз дисперсійних співвідношень, що пов’язують енергію та хвильовий вектор носіїв. Вплив анізотропії і спінового розщеплення зон на структуру оптичного спектра поглинання, сутність властивостей явищ квантової осциляції та їх основні кутові залежності.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розробка нових акусто-оптичних методик дослідження об’ємних монокристалів та сучасних низькорозмірних структур - напівпровідникових гетеропереходів, квантових ям та мікрокристалітів. Спостереження нових порогових акусто-оптичних ефектів у твердих тілах.
автореферат, добавлен 23.11.2013