Вплив одиничних дефектів на нелінійну провідність квантових контактів
Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
Подобные документы
Дослідження механізмів розсіяння фононів на точкових та структурних дефектах, їх впливу на теплоперенос у розчинах параводень-ортодейтерій у всій області їхнього існування та впливу квантових ефектів на домішкове розсіяння фононів у твердому водні.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження азимутальних залежностей нормованої повної інтегральної інтенсивності монокристалу з дефектами у випадку динамічної дифракції за Бреггом. Шляхи створення комбінованих методів кількісної діагностики характеристик дефектів декількох типів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розробка нових квантових моделей розрахунку і аналізу енергетичних та статистичних характеристик динаміки багатофотонної іонізації атомних систем. Комп’ютерне моделювання низки стохастичних, дифузійних і стабілізаційних ефектів в атомних системах.
автореферат, добавлен 28.07.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017- 105. Удосконалення методів виявлення дефектів ізоляції приєднань 6-10кВ кабель-двигун в робочих режимах
Вдосконалення способу визначення вектора струму нульової послідовності. Аналіз провідності ізоляції відносно землі фаз приєднань кабель-двигун. Вивчення параметрів дефектів ізоляції в робочих режимах. Алгоритм знаходження відстані до місця їх виникнення.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Розгляд класичних і квантових ефектів Холла, методів вимірювання електрохімічних потенціалів, формули Ландауера і Бюттекера, вимірювання холлівського потенціалу, врахування магнітного поля в методі НРФГ, квантового ефекту і крайових станів в графені.
статья, добавлен 27.02.2016Вибір класу електронних та квантових приладів надвисоких частот. Опис схеми прольотного клістрону і принцип його дії. Включення і розрахунок основних параметрів обраного електронного пристрою. Рекомендації по використанню розробленої дії в підсилювачах.
практическая работа, добавлен 05.06.2014Дослідження розігріву електронно-діркової плазми електричним полем в процесі утворення термодифузійних автосолітонів в кристалах Ge і Si. Вплив типу провідності кристалу і властивостей приконтактних областей на поведінку плазми в електричному полі.
автореферат, добавлен 30.07.2014Врахування внесків нижчих порядків розкладу по параметру квазікласичності від кривизни ядра в характеристиках низькоенергетичних ядерних коливань. Дослідження впливу квантових оболонкових поправок до енергій коливань в залежності від температури в ядрах.
автореферат, добавлен 25.08.2015Основна характеристика впливу анізотропії і спінового розщеплення зон на тонку структуру оптичного спектра поглинання за рахунок конкретної симетрії кристалічних структур. Аналіз головних особливостей кутової залежності коефіцієнта вбирання ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Створення за допомогою програмного комплексу HYPERCHEM моделей нуклеотидних триплетів. Використання квантових методів для визначення параметрів молекул AM1 і PM3 та молекул води. Кластерний аналіз промоторів по їхнім структурно–енергетичним параметрам.
автореферат, добавлен 29.07.2015- 112. Динамічна теорія розсіяння рентгенівських променів в циліндрично вигнутих кристалах з мікродефектами
Аналітичні вирази для коефіцієнтів відбиття і проходження когерентних, квазідифузних та дифузних хвиль у випадку циліндрично вигнутих монокристалів, які містять однорідно розподілені дефекти кулонівського типу. Вплив вигину для менших радіусів дефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Розробка чисельної динамічної моделі електронно-променевих приладів з використанням методу макрочастинок. Вивчення емісійних характеристик катода. Розподіл електронів за швидкостями. Вплив неоднорідності катода та крайових ефектів на струмопроходження.
автореферат, добавлен 31.01.2014Фізичні особливості взаємодії оптичного випромінювання з дисипативними системами різноманітної вимірності. Дослідження процесів розсіювання і дифракції когерентного та некогерентного випромінювання з метою контролю параметрів дисипативних систем.
автореферат, добавлен 05.01.2014З’ясування причин появи закономірностей, які спостерігаються в непружному розсіянні релятивістських електронів на ядрах. Дослідження чутливості диференціального перерізу до ефектів залишкової взаємодії, принципу Паулі і короткодіючих NN-кореляцій.
автореферат, добавлен 22.06.2014Аналітичні залежності електромагнітних (щільності струму в обмотках, індукції) і енергетичні (потужності, втрат) параметрів трансформаторів від узагальненого лінійного розміру. Взаємозв'язки габаритних розмірів і маси з узагальненим лінійним розміром.
автореферат, добавлен 25.07.2015Визначення залежності термоелектрорушійної сили від різниці температур металевих контактів і величини коефіцієнта опору провідника. Концентрація вільних носіїв заряду в напівпровідниковому монокристалі. Методи визначення величин похибок при вимірюванні.
методичка, добавлен 23.07.2017Дослідження рівноважних характеристик монокристалічного CdTe:V, вирощеного методом Бріджмена, при двох концентраціях домішки у розплаві см-3 та різних режимах охолодження злитків. Встановлення залежності властивостей кристалів від швидкості охолодження.
статья, добавлен 30.10.2016Особливості динаміки електронів в високочастотних гарматах з термоемісійним катодом. Вплив розподілу електричного поля на осі гармат на характеристики пучка. Ефект бомбардування катода зворотними електронами, шляхи підвищення середнього струму гармат.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Вплив нормальних процесів на теплопровідність кристалів в залежності від їхньої інтенсивності. Дослідження теплопереносу у кристалічних розчинах, які мають значне число структурних дефектів. Відтворювальна технології вирощування чистих кріокристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Огляд електронного та екситонного спектру двох тунельно-зв'язаних квантових точок різної форми з врахуванням розриву зон на межах поділу середовищ. Аналіз залежності енергії та густини ймовірності одного і двох зарядів від відстані між квантовими точками.
автореферат, добавлен 29.07.2014Пояснення фізичних причин ефекту асиметрії азимутальної залежності нормованої ПІВЗ в кристалах з дефектами великих розмірів. Огляд співмірних з довжиною екстинкції, і порушеного поверхневого шару, що розсіює кінематично, без обмежень на його товщину.
автореферат, добавлен 29.10.2015Встановлення закономірностей впливу структурної неоднорідності нанопоруватої діелектричної кераміки MgAl2O4 на характер вологосорбційних фізичних процесів. Визначення особливостей її електричної провідності і параметрів позитронних анігіляційних спектрів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014