Поляриметрический эффект в GaAs поверхностно-барьерных структурах
Экспериментальные результаты выполненных исследований в фотоэлектрических процессах в поверхностно-барьерных структурах (барьерах Шоттки) Au-n-GaAs в линейно-поляризованном излучении. наклонное падение излучения на приемную плоскость структур.
Подобные документы
Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.
статья, добавлен 17.05.2020The heterojunctions, like electronic devices, are non-linear elements, which means that their OCA cannot be described by the usual Ohm's law. When illuminated from the side of the n-type semiconductor, the radiation is absorbed in the semiconductor.
статья, добавлен 15.09.2024Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
статья, добавлен 29.06.2017Экспериментальное исследование режимов испарения крупных водяных капель, осадков и сферических частиц льда. Результаты экспериментальных исследований по распространению мощного излучения лазера в искусственных и естественных туманах, снегопадах.
статья, добавлен 07.11.2018Аналіз розподілу потенціалу в контактних структурах. Залежність струму емісії від прикладеної напруги для різних діодних контактних структур. Широкосмугове перестроювання частоти, стабільність частоти в діапазоні 100–1000 ГГц, генерація шумових коливань.
автореферат, добавлен 24.07.2014Особенности оптико-электронной системы, предназначенной для наблюдения за воздушными объектами. Описание измерительной аппаратуры, предварительных результатов экспериментальных исследований излучения атмосферного фона. Регистрация результатов измерений.
статья, добавлен 27.02.2019Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Проведение анализа модели формирования полевого гетеротранзистора. Рассмотрение задачи нелинейных массо- и теплопереноса в многослойных структурах с переменными во времени без сшивки решений на границах раздела между слоями многослойных структур.
статья, добавлен 06.11.2018Исследование и возможное применение электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне. Значение терагерцового излучения для биомолекулярных исследований, медицины и сферы безопасности. Разработка детекторов прямого и гетеродинного обнаружения.
контрольная работа, добавлен 03.06.2014Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
автореферат, добавлен 02.07.2018- 37. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Описание работы ионозонда-радиопеленгатора с использованием линейно-частотно-модулированного сигнала. Результаты экспериментальных исследований особенностей распространения радиоволн на трассах различной протяженности, ориентации в возмущенной ионосфере.
статья, добавлен 30.10.2018Розробка чисельно-аналітичної моделі теплового поля в ростовій камері. Розрахунок температурних профілів злитка GaАs LEC методом. Визначення впливу температурних полів і термопластичних напруг на утворення структурних дефектів в монокристалах GaАs.
автореферат, добавлен 26.09.2015Приводятся результаты экспериментов, показывающие зависимость сдвига линии ферромагнитного резонанса в слоистых структурах на основе железо-иттриевого граната на подложке гадолиний-галиевого граната от величины электрического поля и пьезоэлектриков.
статья, добавлен 18.02.2025Электропривода серии ПМУМ и их предназначение для стационарной установки в закрытых помещениях при питании от сети переменного тока для продолжительного режима работы. Осуществление движение рабочих органов станка или машины, с регулированием скорости.
курсовая работа, добавлен 26.04.2015Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Определение понятия фотоэлектрических датчиков. Описание основ применения фотоэлектрических датчиков для бесконтактного измерения размеров или контроля положения тел в потоке. Оценка необходимости точности раскроя для металлургического производства.
статья, добавлен 04.06.2014Предоставлены экспериментальные результаты по взаимному влиянию радиосредств в условиях их размещения на компактном подвижном объекте. Приведены уровни интермодуляционных продуктов, возникающих при одновременной работе двух передатчиков радиосредств.
статья, добавлен 02.04.2019Имитация эхо-сигналов от земной поверхности при работе радиолокационной станции в режиме картографирования с синтезированием апертуры антенны. Радиолокационные системы дистанционного зондирования Земли. Расчет законов изменения фаз и парциальных сигналов.
статья, добавлен 30.10.2018Влияние отказов каналов активной фазированной антенной решетки (АФАР), размещаемой на космическом аппарате, на характеристики излучения. Результаты анализа характеристик излучения при отказах каналов. Нагружение излучателя на согласованную нагрузку.
статья, добавлен 05.11.2018Принцип работы термодинамических и фотоэлектрических солнечных электростанций; их недостатки и преимущества. Принципы преобразования солнечного излучения в тепловую энергию теплоносителя. Эксплуатационно-технический план электростанции башенного типа.
реферат, добавлен 11.03.2019- 48. Оценка точности определения местоположения источника излучения в угловой системе при действии помех
Методы для определения местоположения источников излучения в пассивной радиолокации. Некоторые результаты оценки точности определения местоположения источников излучения триангуляционным алгоритмом при действии помех на измерений угловых координат.
статья, добавлен 19.07.2012 Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Рассмотрение задачи проектирования сверхширокополосной антенны на основе фрактальной технологии. Оптимизация геометрии антенны. Результаты исследований изменения характеристик излучения в зависимости от величины коэффициента масштаба и уровня итерации.
статья, добавлен 05.11.2018