Поляриметрический эффект в GaAs поверхностно-барьерных структурах
Экспериментальные результаты выполненных исследований в фотоэлектрических процессах в поверхностно-барьерных структурах (барьерах Шоттки) Au-n-GaAs в линейно-поляризованном излучении. наклонное падение излучения на приемную плоскость структур.
Подобные документы
Получение аналитических формул для диаграммы направленности излучения из открытого конца круглого металлодиэлектрического волновода (экранированного диэлектрического волновода). Реализация диаграмм направленности с низким уровнем боковых лепестков.
статья, добавлен 04.11.2018Ознакомление с результатами математического моделирования выбора источника излучения для дифракционного контроля регулярных рельефных структур. Разработка помехоустойчивой оптоэлектронной системы дифракционного контроля с модуляцией лазерного излучения.
статья, добавлен 29.01.2019Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Нанокристаллические магнитные сплавы и их свойства в сравнении с ферритами и пермаллоями. Принципы создания аморфных материалов на сверхмелкокристаллических структурах. Варианты реализации дросселей и трансформаторов, созданных для силовой электроники.
статья, добавлен 09.06.2018Проектирование и оптимизация микроструктурных оптоэлектронных устройств. Применение фотонных кристаллов в приборостроении. Использование нанотехнологий в резонансных плазмонных структурах. Разработка волоконных лазеров, легированных различными ионами.
статья, добавлен 30.12.2024Диагностика онкологических заболеваний на основе регистрации собственного излучения человека. Создание медицинского диагностического прибора для выявления причин повреждения органов и тканей. Определение локализации здоровых и больных клеточных структур.
статья, добавлен 05.11.2018Методи розрахунку потенціалів, напруженості поля та траєкторій електронів і заряджених іонів з врахуванням потенціалів електродів та мікронерівностей поверхні мікрокатоду. Розробка і верифікація топології схеми керування, інтегрованої з мікрокатодом.
автореферат, добавлен 14.08.2015Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016- 62. Управление уровнем бокового и заднего излучения антенн на основе применения импедансных структур
Изучение возможности использования импедансных покрытий для уменьшения уровня бокового и заднего излучения антенной системы. Применение спадающего амплитудно-фазового распределения в качестве самостоятельной меры. Условие возбуждения поверхностных волн.
статья, добавлен 03.11.2018 Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.
статья, добавлен 28.04.2017- 64. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Разработка методики моделирования физических процессов в устройствах электроники. Анализ метода холодного моделирования. Характеристика реализации в конкретных современных устройствах схем с металлодиэлектрическими структурами для сверхвысоких частот.
статья, добавлен 13.01.2020Разработка математических моделей, описывающих зависимости контраста излучения вертолёта от дальности обнаружения в спектральном диапазоне 8-13 мкм. Методика проведения математического моделирования по обнаружению вертолёта. Порог обнаружения целей.
статья, добавлен 27.02.2019Аналіз особливостей поглинальних спектрів в епітаксіальних плівках гексафериту барію в доменній області та насиченому стані. Практичне застосування досліджуваного матеріалу в елементній базі приладів спін-хвильової електроніки міліметрового діапазону.
автореферат, добавлен 29.10.2015Аналіз впливу зовнішніх подразників на зміни, які відбуваються в структурах взаємодії об’єктів як абстрактних сутностей (АС) у процесі їх життєдіяльності (біотехнічних об’єктів, впливу фізичних полів обладнання тощо). Визначення панданних зон кожної АС.
статья, добавлен 26.01.2017Анализ тенденций развития электронной компонентной базы и особенностей применения пьезопреобразователей (ПП) механических величин в радиационно-стойкой аппаратуре. Закономерности поведения, доминирующих радиационных эффектов и механизмов отказов в ПП.
автореферат, добавлен 02.08.2018Изучение корреляционного и спектрального методов обработки сигнала. Особенность реализации квазинепрерывного режима излучения. Экспериментальные исследования макета шумовой радиолокационной станции. Характеристика оптических гребенчатых фильтров.
статья, добавлен 30.10.2018Модель радиационно-индуцированных токов утечки, обусловленных захваченным зарядом в толстых слоях краевой изоляции. Методы физических и схемотехнических расчетов одиночных радиационных эффектов. Расчет интенсивности сбоев в цифровых элементах памяти.
автореферат, добавлен 08.02.2018Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Аналитический обзор микросхем, реализующих аналоговое управление однофазными корректорами коэффициента мощности. Расчет переходных, установившихся режимов и показателей качества корректоров, основанных на основных структурах систем их управления.
автореферат, добавлен 02.05.2018Общие вопросы распространения излучения в атмосфере. Поглощение излучения в земной атмосфере. Особенности рассеяния излучения в атмосфере. Флуктуации прозрачности атмосферы и их влияние на работу оптико-электронного прибора. Рефракция оптических лучей.
лекция, добавлен 17.11.2018Исследование схемы генератора линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН), полученной из схемы мультивибратора путем замены времязадающей RC-цепи неинвертирующим интегратором. Порядок и принципы построения генератора с постоянной частотой генерации.
лекция, добавлен 04.10.2013