Інжекційно-термічні та рекомбінаційні процеси в багатобарґєрних А3В5 - напівпровідникових випромінювачах інфрачервоного діапазону
Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
Подобные документы
Відповідність між кольорами та довжинами хвиль монохроматичного електромагнітного випромінювання видимого діапазону. Підтвердження наявності у людей механізмів, які забезпечують шкірно-оптичне сприйняття кольору. Дослідження та аналіз змін ритмів мозку.
статья, добавлен 13.07.2021Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 33. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Формулювання та апробація можливих способів діагностування та класифікації станів перетворювачів за вейвлет-спектрами струмів та напруг. Розробка та впровадження в промислову сферу мікропроцесорних систем діагностики напівпровідникових перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015- 35. Комп’ютеризований комплекс дослідження фільтруючих ланок для споживачів з нелінійним навантаженням
Впровадження напівпровідникових пристроїв управління, які покращують роботу технологічних об’єктів, викликаючи при цьому негативні електромагнітні явища. Підключення силових напівпровідникових пристроїв за допомогою комутаційних фільтруючих елементів.
статья, добавлен 21.06.2016 Удосконалення методів визначення втрат потужності в перетворювальних пристроях, які працюють в різних режимах. Розробка математичної моделі напівпровідникових перетворювачів постійного та змінного струму працюючих в автономних системах електропостачання.
автореферат, добавлен 29.07.2014Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Фізичні процеси в магнітострикційному хвилеводі при перенесенні електричного струмового імпульсу (ЕСІ). Принципи перетворення ЕСІ в інші форми енергоперенесення за рахунок процесів перетворення електромагнітної енергії, яка створюється у хвилеводі.
статья, добавлен 13.01.2017Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.
курсовая работа, добавлен 16.03.2016Встановлення загальних фізичних закономірностей хвильових процесів у просторово-розвинутих квазіоптичних резонансних структурах. Експериментальне моделювання хвильових процесів у зв'язаних і відкритих резонаторах з металодіелектричними включеннями.
автореферат, добавлен 29.09.2014Створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням у вакуумі плівок золота товщиною 6 нм. Дослідження морфології поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, визначення середніх розмірів наночастинок.
статья, добавлен 13.10.2016Визначення метрологічних характеристик двох засобів вимірювальної техніки за зовнішнім виглядом їхньої шкали. Аналіз показання приладу і положення перемикача діапазону вимірювання. Розрахунок значення, яке показує прилад при вимірюванні величини.
контрольная работа, добавлен 24.02.2016Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Аналіз аналітичних методів розв’язання диференціальних рівнянь для магнітного струму в щілинних випромінювачах. Зміст високоефективних за точністю й швидкістю розрахунків математичних моделей. Види електродинамічних структур у хвилеведучих трактах.
автореферат, добавлен 30.07.2014- 50. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014