Інжекційно-термічні та рекомбінаційні процеси в багатобарґєрних А3В5 - напівпровідникових випромінювачах інфрачервоного діапазону
Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
Подобные документы
Теорія електронних і фононних температурних хвиль у напівпровідниках скінченої довжини, які виникають у результаті об’ємного поглинання модульованого світла. Процеси нестаціонарних термодифузійних потоків у субмікронних напівпровідникових плівках.
автореферат, добавлен 30.07.2014Удосконалення теорії спектрів квазічастинок. Визначення впливу взаємодій класичних і квантованих полів на оптичні властивості середовища та пошук на цій основі новітніх матеріалів для потреб наноелектроніки. Стан бістабільності в екситонній області.
автореферат, добавлен 27.07.2015Характеристика процесів взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до появи нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу частинок, які слабо дифундують в напівпровідникових конструкціях.
автореферат, добавлен 14.10.2015Виявлення залежності спектрів та хвильових функцій електронів від геометричних розмірів складових частин багатошарових сферичних наногетеросистем. Дослідження особливостей локалізації електронів та дірок у періодичних сферичних наногетеросистемах.
автореферат, добавлен 04.03.2014Аналіз акустичних властивостей різних типів гідродинамічних випромінювачів. Генерування звуку струминними випромінювачами при наявності зони розвинутої кавітації. Аналіз залежності частоти звуку від властивостей рідини й швидкості зануреного струменя.
автореферат, добавлен 28.08.2015Визначення діапазонів термодинамічної стабільності багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів АІІBVI з вмістом ртуті і виявлення причин утворення ділянок нестабільності. Пояснення особливостей електрофізичних характеристик фотодіодів Шотткі.
автореферат, добавлен 14.10.2015Дослідження основних процесів взаємодії світла, особливо світлових пучків високої інтенсивності, з екситонними та біекситонними елементарними збудженнями при непружному розсіянні екситонних молекул в напівпровідникових кристалах та наноструктурах.
автореферат, добавлен 27.07.2014Головні особливості спектрів елементарних магнітних збуджень в епітаксіальних плівках одновісних гексаферитів в стані з циліндричною доменною структурою і плоскопаралельною доменною структурою та в області насичення при нормальному намагнічуванні.
автореферат, добавлен 25.08.2014Залежність похибки вимірювання температури шумовим термометром від ширини частотного діапазону та від довжини лінії зв'язку між первинним перетворювачем та входом вимірювального блоку термометра. Схеми коректуючих ланок, які забезпечують стійкість.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження впливу рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. Збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду кристалу.
статья, добавлен 07.12.2016Дослідження впливу міжфазових поверхневих процесів на люмінесценцію нанокристалів сульфіду кадмію. Вплив вологості повітря на рекомбінаційні процеси в нанокристалах. Ефект фотостимуляції короткохвильової смуги випромінювання з довжиною хвилі 480 нм.
статья, добавлен 07.12.2016Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Використання фотоелектричних перетворювачів. Визначення оптичних та рекомбінаційних втрат в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe та n-CdS/p-CdTe із струмознімальними фронтальними контактами ITO і ZnO.
статья, добавлен 23.12.2016Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розробка методу аналізу електромагнітних процесів в напівпровідникових перетворювачах електричної енергії, який має меншу трудомісткість та підвищену швидкодію у порівнянні з існуючими методами. Введення типу часових характеристик електричного ланцюга.
автореферат, добавлен 12.07.2015Природа і закономірності формування центрів свічення та захоплення носіїв заряду. Перетворення дефектів під дією збуджувальної радіації і температури. Встановлення механізмів перебігу фотохімічних та рекомбінаційних процесів у фоточутливих кристалах.
автореферат, добавлен 30.07.2015Побудова математичної моделі протікання струму і тепловиділення в багатошарових світловипромінюючих структурах з урахуванням нелінійних властивостей p-n переходу. Визначення температур струмового розігріву в інфрачервоних InAsSbP/InAsSb світлодіодах.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Явища, що виникають при резонансній дифракції на одновимірних металевих ґратках. Заглушення дзеркального відбиття і ефектів, що можуть його супроводжувати. Спектральні залежності інтенсивності та поляризації. Сигнали у сучасних лініях оптичного зв’язку.
автореферат, добавлен 30.08.2014Характеристика особливостей процесів у напівпровідникових перетворювачах для потужного електротехнологічного обладнання. Проектування ефективних трансформаторно-ключових виконавчих структур та систем регулювання напруги змінного, спрямленого струмів.
статья, добавлен 25.03.2016Аналіз процесів фазової взаємодії в системі In-Ga-Se-O та окислення сполук цієї системи. Розгляд стійкості при термообробці на повітрі півтораселеніду індію і галію в напівпровідниковій системі та їх кристалізація з утворенням моноклінної b-модифікації.
автореферат, добавлен 27.02.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка структурної схеми системи живлення низьковольтних кіл з вузлом керування на сучасній базі. Аналіз схемних рішень для розробки вузлів керування напругою з урахуванням перехідних процесів. Основи вибору типів силових напівпровідникових ключів.
автореферат, добавлен 17.07.2015