Вплив домішок германію та кисню на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію
Дослідження спектрів інфрачервоного поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію після опромінення нейтронами реактора. Зберігання рівномірності у розподілі ростових дефектів (дислокацій). Залежність концентрації дивакансій від домішки кисню.
Подобные документы
Залежність потужності теплового ІЧ випромінювання напівпровідника за краєм власного поглинання, збуджуваного світлом з області поглинання. Параметри напівпровідникового кристала: концентрація домішок, товщина кристала, коефіцієнт відбивання кристала.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження природи хімічного зв’язку Si–Al при входженні кремнію в решітку за допомогою ab initio розрахунків. Взаємозв’язок квантово-хімічних параметрів і термодинамічних характеристик системи Si–Al. Утворення кластерів під дією нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вплив спотворень на величину і поведінку інтегральної відбиваючої здатності. Закономірності дифракції рентгенівських променів на масивних реальних кристалах кремнію для розвитку представлень про вплив структурних спотворень на параметри дифракції.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження впливу ступеню ковалентності хімічних зв'язків ортофосфатів та ортосилікатів на їх радіаційну стійкість. Виявлення та аналіз впливу молекул води, що знаходяться в міжшаровому просторі шаруватих U-, Th- мінералів, на їх радіаційну стійкість.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вплив домішкового кисню на браковону структуру. Фізичні властивості напівпровідникових з’єднань. Типи заміщення атомів сірки. Дія точкових дефектів на оптичні властивості гетеросистем. Радіаційна стійкість твердих розчинів методом іонолюмінесценції.
автореферат, добавлен 28.07.2014Взаємозв'язок інтегральних характеристик динамічного розсіяння Х-променів, температурних спектрів поглинання пружної енергії зі змінами дефектної структури опромінених монокристалів кремнію високоенергетичними електронами в процесі природного старіння.
автореферат, добавлен 06.07.2014Характеристика структурних змін у кристалах кремнію. Визначення параметрів методами опромінення, дифракції та акустичної взаємодії. Дослідження мікродефектів та природного старіння. Аналіз температурного гістерезису внутрішнього тертя і модуля зсуву.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз і наукове обґрунтування методологічних і теоретичних засад математичного моделювання розподілу домішок при вирощуванні монокристала кремнію в умовах протікання фізичних процесів. Розробка алгоритмів розв’язання розроблених математичних моделей.
автореферат, добавлен 26.08.2015Основні фізичні процеси, що відбуваються при адсорбційній взаємодії молекул кисню з поверхнею вольфраму, визначення механізмів кінетики адсорбції кисню при кріогенних температурах підкладки, поняття спектрів низькотемпературних адсорбційних станів систем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Аналіз властивостей і особливостей структуроутворення композиційного матеріалу алмаз-SiC під час виготовлення композита з оптимальною мікроструктурою. Залежність рівня псевдомакронапружень і мікронапружень від концентрації карбіду кремнію в композиті.
автореферат, добавлен 22.07.2014Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016З'ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологісті, водними розчинами з різними рН та розчинами біомолекул. Розгляд механізму впливу полінуклеотидів на фотолюмінесценцію пористого кремнію.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Закономірності пружного і непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів різномодифікованими поверхнями монокристалічного p-Si(100), полірованими гранями (111), (110), (100) монокристалічного Ge, атомно-чистими й окисленими шарами магнію.
автореферат, добавлен 29.04.2014Розробка магнітної системи для транспортування позитронів і введення їх у процес прискорення. Створення механізму радіаційно-індукованої аморфізації і радіаційно-стимульованого гідрогенування монокристалічного кремнію за допомогою пучкових технологій.
автореферат, добавлен 29.04.2014Дослідження рівноважних характеристик монокристалічного CdTe:V, вирощеного методом Бріджмена, при двох концентраціях домішки у розплаві см-3 та різних режимах охолодження злитків. Встановлення залежності властивостей кристалів від швидкості охолодження.
статья, добавлен 30.10.2016Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження оптичних та люмінесцентних властивостей поруватого кремнію і структур на його основі. Розробка лабораторної технології та вивчення фізико-хімічних особливостей формування і морфології шарів поруватого кремнію, визначення їх оптичних констант.
автореферат, добавлен 20.07.2015Моделювання представлення дислокаційних петель кремнію. Вплив комбінованих спотворень на товщинні розподіли інтенсивності. Застосування числових методів розрахунку дислокаційного контрасту. Механізм формування елементів дифракційних зображень дислокацій.
автореферат, добавлен 20.07.2015Вимірювання спектрів поглинання та фотолюмінісценції комірок рідкого кристалу з домішкою антрахінонового барвника. Дослідження послідовності та концентраційної залежності нелінійно-оптичного відгуку при самовпливі пікосекундних лазерних імпульсів.
автореферат, добавлен 26.02.2015Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015