Вплив домішок германію та кисню на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію
Дослідження спектрів інфрачервоного поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію після опромінення нейтронами реактора. Зберігання рівномірності у розподілі ростових дефектів (дислокацій). Залежність концентрації дивакансій від домішки кисню.
Подобные документы
Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015- 102. Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора
Исследование термической стабильности кластеров и точечных дефектов в n-Si, выращенном методом Чохральского (Cz), после облучения быстрыми нейтронами реактора. Процесс аннигиляции вакансионного типа дефектов кластеров с межузельными атомами кремния.
статья, добавлен 07.10.2013 Теоретичне дослідження процесу міграції міжвузлових атомів, вакансій у матеріалі в умовах неоднорідного опромінення високоенергетичними частинками. Вивчення різних процесів утворення макроскопічних дефектів на початкових стадіях і в стаціонарному випадку.
статья, добавлен 19.09.2013- 104. Оцінка в’язкості руйнування корпусних сталей реактора ВВЕР-1000: досвід дослідження зразків-свідків
Визначення в’язкості руйнування корпусних матеріалів реактора ВВЕР-1000 в процесі експлуатації. Вплив нікелю на чутливість корпусних сталей до опромінення. Закономірності руйнування феритних сталей в температурному діапазоні крихко-в’язкого переходу.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Залежності ефективності перетворення короткохвильового випромінювання в довгохвильове від параметрів зовнішніх впливів і параметрів кристалів. Температурний діапазон, в межах якого досягаються найвищі значення ефективності перетворення в монокремнії.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Побудова фізичної моделі зародження, росту і розчинення складної системи нано- і мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню в кремнії. Еволюція функції розподілу дефектів за розмірами. Рівняння дифузії для міжвузлових атомів системи.
автореферат, добавлен 14.09.2014- 109. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Дослідження факторів, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах телуридів свинцю і олова і можуть змінювати його, а також можливі механізми і результати взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць.
автореферат, добавлен 15.07.2014Дослідження процесів в паливних баках ракетних рушійних установок. Параметри і конструкції неізотермічних систем наддування існуючих рушійних установок. Обґрунтування нового способу боротьби з термічним розшаруванням кисню в циліндричному баку ракети.
статья, добавлен 21.04.2020Оптимальні режими дифузії для створення легованих оловом шарів II–VI сполук, дослідження їх електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей. Спільні та відмінні риси характеру фізичних процесів у шарах, які зумовлені домішкою олова.
автореферат, добавлен 29.08.2015Спектроскопічні дослідження фотоструктурних перетворень і коливних спектрів стекол As(Ge)xS100-x при варіації енергії збуджуючих фотонів. Першопринципні розрахунки електронної структури кластерів As(Ge)nSm і S8. Концентраційна залежність краю поглинання.
автореферат, добавлен 14.09.2014Одержання спектрів електронного парамагнітного резонансу та подвійного електронно-ядерного резонансу домішкових центрів та їх комплексів. Розшифровка та опис спектрів, визначення радіоспектроскопічних параметрів. Вплив домішок на фононні спектри.
автореферат, добавлен 23.11.2013Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014Отримання експериментальних даних диференціальних перерізів пружного й непружного розсіяння ядер вуглецю та кисню при енергії 105 МеВ для переходів ядер в основні стани та збуджені низькоенергетичні стани. Набори параметрів потенціалу взаємодії ядер.
статья, добавлен 11.09.2013Вивчення методами мас-спектрометрії кремнієвих поверхонь мультикристалічних підкладок до і після електрохімічного травлення з використанням складної органічної сполуки. Дослідження поверхні мультикристалічної підкладки мас-спектроскопією вторинних іонів.
статья, добавлен 30.10.2016- 118. Утворення розгалужених структур з окремих треків, створених при проходженні швидких важких іонів
Залежність площі поверхні зразка після опромінення та видалення модифікованої речовини від повної дози опромінення, кута падіння пучка важких швидких іонів та середньої відстані між сферичними частинами одного треку. Опуклість кривої дозової залежності.
статья, добавлен 02.09.2013 Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015Еволюція світлоіндукованого зчеплення на полімерній поверхні комірки, заповненої нематичним РК з домішкою азобарвника. Процес опромінення комбінованих рідкокристалічних комірок з домішкою азобарвника в нематичній фазі. Дрейф осі легкого орієнтування.
автореферат, добавлен 25.08.2015Розробка методики синхронної реєстрації сигналів акустичної емісії та динаміки дислокацій, що двійникують. Особливості механізмів гальмування дислокацій у магнетиках, у тому числі поблизу точок фазових перетворень, з урахуванням доменної структури.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014