Микропроцессоры в электронных устройствах
Полевой транзистор с цифровым интерфейсом. Схема, реализующая возможность снятия крутизны полевого транзистора. Требования к цифровому устройству, реализующему процедуру снятия зависимости крутизны полевого транзистора. Управляемый источник напряжения.
Подобные документы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016Выбор типа приводного двигателя в лифтах. Технические параметры выбранного полевого транзистора - КП723А. Схема подключения активной (индуктивной) нагрузки. Требования к тормозам лифтовых лебедок. Внешний вид магниточувствительного датчика MS FE3A6-41-L.
курсовая работа, добавлен 01.04.2020Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Определение зависимости напряжения базы от логарифма тока коллектора, а также коэффициента усиления от тока коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.
отчет по практике, добавлен 25.10.2012Принцип действия электронного генератора. Общие сведения о генераторах с внешним возбуждением. Особенности регенеративного усиления. Механизмы синхронизации и деления частоты. Исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) полевого транзистора.
курсовая работа, добавлен 15.09.2015Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.
лабораторная работа, добавлен 27.12.2014Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.
курсовая работа, добавлен 16.12.2012Основные параметры биполярного транзистора, формирование его малого и большого сигнала. Расчёт принципиальной схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, назначение и принцип действия. Амплитудно-частотные характеристики усилителей.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.
методичка, добавлен 13.08.2013Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012- 63. Микромощный избирательный усилитель в элементном базисе радиационно-стойкого техпроцесса АБМК_1_3
Базовые схемы микромощного избирательного усилителя. Применение полевого транзистора управляющим p-n переходом. Схемы избирательного усилителя с высоким затуханием выходного сигнала в диапазоне низких частот. Схема техпроцесса АБМК_1_3 в среде PSpice.
статья, добавлен 30.05.2017 Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Назначение и структурная схема цифрового таймера. Осциллограммы напряжений в узлах схемы мулитьвибратора. Схема семисегментного индикатора, полевого транзистора и дешифратора. Расчет одновибратора для тактирования D-триггеров, регистра и счётчика.
реферат, добавлен 23.05.2016Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Расчет высокочастотных параметров полевого транзистора по схеме с общим истоком. Составление и электрический расчет принципиальной схемы приемника. Определение резонансных усилителей радиочастоты с частотно-независимой связью контура с нагрузкой.
курсовая работа, добавлен 13.11.2014Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Графическое определение малосигнальных параметров транзистора в окрестностях рабочей точки. Определение предельных частот транзистора. Построение нагрузочной прямой транзистора по переменному току. Выбор резисторов в схеме усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 19.09.2011Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.
курсовая работа, добавлен 25.05.2013Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Выбор транзистора для работы в составе широкополосного усилительного оконечного каскада. Расчет требуемого режима работы транзистора, цепей питания и термостабилизации. Каскад с высокочастотной индуктивной коррекцией. Принципиальная схема усилителя.
курсовая работа, добавлен 02.12.2012