Микропроцессоры в электронных устройствах
Полевой транзистор с цифровым интерфейсом. Схема, реализующая возможность снятия крутизны полевого транзистора. Требования к цифровому устройству, реализующему процедуру снятия зависимости крутизны полевого транзистора. Управляемый источник напряжения.
Подобные документы
Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016- 105. Транзисторы
Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
реферат, добавлен 27.06.2015 Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.
лекция, добавлен 04.10.2013- 108. Модель Гуммеля-Пуна
Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013 Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Стабилизатор как электрическое устройство, используемое для подачи постоянного напряжения на нагрузку на своих выходных клеммах независимо от каких-либо изменений или колебаний на входе. Расчет внутреннего сопротивления регулирующего транзистора.
курсовая работа, добавлен 29.11.2019Исчисление напряжения насыщения и отпирания транзистора, статических уровней выходного напряжения для ненагруженного ключа. Зависимость длительности фронта включения, стадии рассасывания и протяжности фронта выключения от амплитуды входных импульсов.
контрольная работа, добавлен 23.12.2010Электрические параметры биполярного германиевого усилительного высокочастотного маломощного сплавно-диффузионного транзистора. Определение его смешанных (гибридных) параметров по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 24.01.2015Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Принцип работы схемы генератора синусоидальных колебаний. Получение сигналов треугольной (а также пилообразной) и синусоидальной форм последовательным преобразованием исходных прямоугольных импульсов. Вольтамперная характеристика полевого транзистора.
контрольная работа, добавлен 18.10.2010Изучение состава усилителей на полевых транзисторах. Амплитудно-частотная характеристика усилителя. Исследование схемы усилительного каскада на полевом транзисторе с общим истоком. Анализ различия между емкостью разделительного конденсатора и транзистора.
лекция, добавлен 04.10.2013Выбор структурной и электрической принципиальных схем устройства. Выбор по заданным начальным параметрам напряжения питания, транзистора VT1, диода VD1, расчет номиналов остальных деталей. Алгоритм расчета блокинг-генератора по схеме с общим эмиттером.
дипломная работа, добавлен 24.11.2011Выбор режима работы мощного усиления. Расчет способа включения транзистора и точки покоя по семейству выходных характеристик транзистора. Расчет коэффициента трансформации, активных сопротивлений первичной и вторичной обмоток выходного трансформатора.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Описание схемы и разработка проекта усилительного каскада с распределённой нагрузкой с общим эмиттером. Проведение расчетов по нахождению статической линии нагрузки и рабочей точки транзистора КТ602А. Общий расчет h-параметров проектного транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.09.2019Рассмотрение экспериментальных зависимостей от температуры основных параметров МОП-транзисторов (удельной крутизны и порогового напряжения) в широком диапазоне температур, включая криогенные. Оптимизация выбора хладагента для малошумящих усилителей.
статья, добавлен 29.06.2017Методика расчета усилительного каскада на транзисторе, определение амплитуды напряжения входного сигнала. Особенности выходных характеристик транзистора. Схема усилительного каскада на транзисторе со смещением рабочей точки фиксированным током базы.
контрольная работа, добавлен 04.12.2016Выбор транзистора для выходного каскада. Расчет схемы температурной стабилизации тока покоя выходного транзистора. Основное требование, предъявляемое к выходному каскаду импульсного усилителя. Обеспечение заданной амплитуды импульса на нагрузке.
курсовая работа, добавлен 06.11.2014Расчет электронного режима транзистора радиопередатчика с частотной модуляцией, элементов схемы усилителя и согласующих цепей. Расчет кварцевого автогенератора. Выбор типа и режима работы транзистора. Габаритные размеры радиодеталей и радиокомпонентов.
дипломная работа, добавлен 21.11.2013Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012