Можливості підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
Подобные документы
Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розвиток синтезної теорії незворотної деформації стосовно опису пластичної деформації. Співставлення експериментальних даних і теоретичних значень деформацій радіаційної й термічної повзучості в залежності від часу, температури й рівня напруження.
автореферат, добавлен 24.02.2014Характеристика структурної досконалості кисневомістких кристалів кремнію. Головна особливість дослідження кінетики змін розмірів та концентрацій дефектів, що виникають під час відпалу. Вивчення впливу попереднього нейтронного опромінення на цей процес.
автореферат, добавлен 30.07.2015Процеси окислення та їх вплив на механізми дефектоутворення у легованому кремнії. Закономірності деградації параметрів приладів залежно від структури приповерхньої області. Моделювання топологічних процесів струмопереносу в системах діоксиду кремнію.
автореферат, добавлен 14.08.2015Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка сумісної моделі теплофізичних і термомеханічних процесів при дії лазерного випромінювання на конструкційні матеріали. Експериментальна перевірка можливості підвищення мікротвердості, вигинних характеристик, стійкості різальних інструментів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка способу регулювання збудження синхронного генератора подовжньо-поперечного збудження, який забезпечить підвищення стійкості роботи суднової електроенергетичної системи. Аналіз показників стійкості в різних режимах роботи синхронного генератора.
автореферат, добавлен 27.07.2015Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості монокристалічного і ниткоподібного кремнію, зумовлених термічними дефектами та інтерпретація виявлених ефектів. Дослідження магнітних властивостей рентгеноструктурні кристалів після їх термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2015Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Оцінка дії ультразвуку на концентрацію радіаційних електрично-активних дефектів в монокристалічному кремнії. Розгляд впливу на кінетику фотоструму. Аналіз проростаючих дислокацій епітаксіальних плівок. Дослідження фотолюмінесценції поруватого кремнію.
автореферат, добавлен 25.07.2014Зв'язок між структурою, складом вихідної оксидної матриці і характеристиками нановключень кремнію, утвореними внаслідок фазового розділення SiOx. Вплив радіаційно-термічних обробок на структурні та світловипромінювальні властивості тонкоплівкових систем.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження процесів динамічного розсіяння Х-променів у кристалах кремнію, що містять різного типу дислокаційні петлі та бар’єри. Чисельне розв’язування рівнянь Такагі. Вплив деформаційних полів дислокаційних петель на Х-променеву акустичну взаємодію.
автореферат, добавлен 27.07.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Закономірності формування іонно-плазмових покриттів системи Ti-W-B і вплив постконденсаційної обробки на їх фазовий склад, структуру, субструктуру й напружений стан. Структура таких покриттів стійка до відпалів і опромінення протонами з енергією 200 кеВ.
статья, добавлен 13.10.2016Розробка сучасних методів досліджень та випробувань стійкості і деградації функцій критичного обладнання атомної електростанції в радіаційних полях. Основна техніка вивчення процесів старіння та отримання нових даних для оцінки залишкового ресурсу.
автореферат, добавлен 30.07.2015Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Опис методики виготовлення мішеней з ізотопних матеріалів з використанням вакуумної напилювальної установки ВУП-5М. Дослідження складу мішеней з використанням ядерно-фізичних вимірювань продуктів зворотного резерфордівського розсіяння прискорених іонів.
статья, добавлен 08.10.2013Систематизація U-, Th-мінералів по типу їх структури. Дослідження впливу типу хімічного зв’язку на радіаційну стійкість циркону, монациту та ксенотиму. Виявлення залежності радіаційної стійкості досліджуваного ряду мінералів від теплопровідності.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
курсовая работа, добавлен 26.08.2016