Можливості підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
Подобные документы
Теоретичне й експериментальне вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі кристиалічного кремнію. Збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво.
автореферат, добавлен 19.06.2018Дослідження особливостей дефектоутворення в кремнії внаслідок дії опромінення швидкими електронами за наявності ізовалентних домішок олова та вуглецю, які створюють локальні деформації протилежного знаку. Описання процесів радіаційного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 27.08.2014Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Вплив електромагнітного випромінювання на взаємодію з малими частинками кульової форми і дисперсними системами на їх основі на межі розділу фаз. Застосування теорії Максвела-Гарнетта та наближення ефективного середовища для ДС з відповідними включеннями.
статья, добавлен 30.01.2017Створення плівок поруватого кремнію електрохімічним методом. Характеристика електричних та оптичних властивостей прозорих плівкових оксидів. Застосування технології вологого хімічного та парового осадження при виготовленні головних ясних покрить.
диссертация, добавлен 01.01.2017Розробка технічних засобів модернізації радіаційної установки шляхом технічного вдосконалення системи силового живлення лінійного прискорювача та засобів її управління. Усунення спотворень характеристик радіаційного поля в реакційній камері установки.
статья, добавлен 12.09.2013Аналіз залежності фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації за різних радіусів пор та середніх відстаней між ними. Дослідження впливу неоднорідності розмірів пор на фотопровідність поруватого кремнію. Виготовлення сенсорних пристроїв.
статья, добавлен 10.12.2016Дослідження особливостей процесу електронної польової емісії з пористого кремнію. Оптимізація режимів вирощування пористого кремнію з метою отримання високоефективних емісійних катодів. Розробка методики визначення основних емісійних параметрів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Структурний стан матеріалів і прогнозування зміни їх властивостей під впливом іонізуючого випромінювання. Конструкційні матеріали корпусу та активні зони ядерних реакторів. Застосування ізоляційних та конструкційних елементів у ядерній енергетиці.
автореферат, добавлен 22.07.2014Особливості адгезії вуглецевих матеріалів, карбідів, нітридів й sp-елементів з металами у твердому й рідкому станах. Вплив адгезійних факторів на кавітаційну стійкість багатошарових вакуумно-плазмових покриттів. Підвищення кавітаційної стійкості сталі.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вивчення дії механічних напружень підкладки на люмінесцентні властивості сформованого на ній поруватого шару. Дослідження впливу хімічної обробки зразків поруватого кремнію на ефективність їх фотолюмінесценції. Аналіз впливу атмосферного середовища.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження властивостей структур на основі пористого кремнію та механізмів їх модифікації під дією поверхневих обробок. Активація фотолюмінісцентних характеристик на імплантованих зразках. Сегрегація бору на границі поділу кремнієвого кристаліту.
автореферат, добавлен 20.04.2014Аналіз властивостей і особливостей структуроутворення композиційного матеріалу алмаз-SiC під час виготовлення композита з оптимальною мікроструктурою. Залежність рівня псевдомакронапружень і мікронапружень від концентрації карбіду кремнію в композиті.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 67. Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту
Дослідження електричних та фотоелектричних характеристик сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлення збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму.
статья, добавлен 23.12.2016 Аналіз і наукове обґрунтування методологічних і теоретичних засад математичного моделювання розподілу домішок при вирощуванні монокристала кремнію в умовах протікання фізичних процесів. Розробка алгоритмів розв’язання розроблених математичних моделей.
автореферат, добавлен 26.08.2015Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
автореферат, добавлен 10.01.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 72. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Фізичні механізми фазових перетворень, викликаних зміною структурного стану кисню, що відбуваються при стимульованому створенні кремнієвих нановключень в оксидній матриці і на початковому етапі термічного окислення кремнію. Стан кисню в перехідному шарі.
автореферат, добавлен 01.08.2014Математичні критерії стійкості методів розв'язку систем алгебрично-диференціальних рівнянь. Визначення придатності критеріїв стійкості до діакоптичного підходу. Розгляд існуючих апріорних критеріїв стійкості алгоритмів розрахунку електричних кіл.
автореферат, добавлен 24.02.2014Головний аналіз електрохімічної інтеркаляції іонів літію в кристалічні та аморфні модифікації діоксиду кремнію. Вплив дисперсних матеріалів на ступінь енергетичних параметрів комірок живлення. Особливість нефарадеєвської гіпер’ємності накопичення заряду.
автореферат, добавлен 02.08.2014