Характеристика, класификація, принцип роботи та розрахунок основних параметрів біполярних транзисторів

Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що здатен підсилювати потужність. Оцінка співвідношення між складовими струму за допомогою коефіцієнта інжекції. Дослідження схеми вмикання транзистора зі спільним емітером.

Подобные документы

  • Вибір структурної схеми приймача. Розрахунок структурної схеми тракту радіо частоти. Визначення числа вибіркових систем тракту проміжної частоти. Розрахунок структурної схеми тракту низької частоти. Кінцевий розрахунок трансформаторного підсилювача.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2016

  • Вибір основного електротехнічного обладнання схеми системи електропостачання. Розрахунок симетричних режимів коротких замикань. Побудова векторних діаграм струмів і напруг. Визначення удатного і струму замикання на землю в мережі з ізольованою нейтраллю.

    курсовая работа, добавлен 18.03.2016

  • Сборка схемы для исследования биполярного транзистора. Построение входных и выходных характеристик. Определение h-параметров. Составление эквивалентной схемы замещения. Изучение параметров передаточных и выходных характеристик полевого транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 25.08.2013

  • Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.

    реферат, добавлен 06.12.2015

  • Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов. Характеристика схемы включения транзистора. Входное и выходное сопротивление для структуры с общей базой. Коэффициент передачи тока. Влияние роста частоты на работу радиоприемника.

    контрольная работа, добавлен 28.03.2014

  • Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.

    курсовая работа, добавлен 18.04.2016

  • Электроника как наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями. Знакомство с особенностями биполярного транзистора ГТ310А, рассмотрение способов определения параметров. Анализ этапов построения нагрузочной прямой по постоянному току.

    курсовая работа, добавлен 18.02.2020

  • Дослідження і порівняння різних варіантів базових схем біполярної інтегральної логіки. Передаточна характеристика при двох значеннях напруги джерела живлення і трьох значенням коефіцієнта розгалуження при зміні напруги на вході інтегрального елемента.

    лабораторная работа, добавлен 18.04.2014

  • Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 20.09.2014

  • Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.

    реферат, добавлен 15.11.2015

  • Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.

    учебное пособие, добавлен 21.08.2015

  • Поняття внутрішніх джерел шумів підсилювача. Оцінка впливу дефектів напівпровідникових приладів і їх локалізації на характеристики ПП. Визначення фізичних шумових джерел. Індукційні джерела сигналів ІВС. Заходи корекції параметрів роботи підсилювача.

    автореферат, добавлен 15.07.2014

  • Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.

    курсовая работа, добавлен 13.10.2017

  • Дослідження процесу визначення технічного стану сучасного радіоелектронного озброєння. Вивчення й характеристика класичних моделей Еберса-Мола, Бьюфойя-Спаркса, Лінвілла. Розрахунок дифузійного електронного струму. Аналіз струму переходу напівпровідника.

    статья, добавлен 20.02.2016

  • Вакуумний метод отримання напiвпровiдникових плівок моносульфіду самарію. Електрофізичні властивості та рекомбінаційні параметри плівкових структур. Можливість управління метрологічними характеристиками тензорезистора за допомогою прикладеної напруги.

    автореферат, добавлен 12.02.2014

  • Загальна характеристика устрою польових транзисторів із горизонтальною і вертикальною структурами. Принципова схема резонансного генератора із зовнішнім збудженням на транзисторі. Розрахунок параметрів режиму стокового ланцюга на робочих частотах.

    контрольная работа, добавлен 27.03.2011

  • Побудова схеми центрального комутаційного поля. Розподіл втрат у розмовному тракті. Розрахунок параметрів мультиплексорів, втрат телефонних сполучень на підставі імовірнісного графа. Структурні схеми та показники складності комутаційних елементів.

    методичка, добавлен 12.11.2017

  • Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.

    статья, добавлен 23.03.2018

  • Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Розробка принципової схеми та опис її функціональних блоків. Аналіз лічильника і його принцип роботи, логічні елементи схеми та дешифратор. Підключення сегментного індикатора та вибір елементної бази. Характеристика чотирьохрозрядного зсувного регістра.

    курсовая работа, добавлен 09.12.2014

  • Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.

    контрольная работа, добавлен 12.05.2016

  • Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя. Принципиальная схема усилителя низкой частоты, амплитудная характеристика работы. Расчет и проверка рабочей точки, значения сопротивлений усилителя и разделительных емкостей.

    курсовая работа, добавлен 20.09.2014

  • Биполярный транзистор как весьма сложный полупроводниковый прибор: общая характеристика, знакомство с принципом работы. Рассмотрение основных особенностей определения параметров усилительного каскада. Анализ схемы замещения биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 12.05.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.