Характеристика, класификація, принцип роботи та розрахунок основних параметрів біполярних транзисторів

Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що здатен підсилювати потужність. Оцінка співвідношення між складовими струму за допомогою коефіцієнта інжекції. Дослідження схеми вмикання транзистора зі спільним емітером.

Подобные документы

  • Обмежувачі на діодах послідовного і паралельного типів. Біполярні транзистори та схеми вмикання і статичні характеристики біполярних транзисторів. Біполярний транзистор як активний чотирьохполюсник. Динамічні характеристики транзисторних ключів.

    лекция, добавлен 26.03.2014

  • Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.

    курсовая работа, добавлен 20.12.2013

  • Визначення залежності струму колектора від струму бази та напруги колектор-емітер. Розрахунок сімейства вихідних характеристик біполярного транзистора в схемі із загальним емітером. Фактори, що визначають силу струму, що протікає через колектор.

    лабораторная работа, добавлен 27.03.2014

  • Історія винаходу біполярного транзистора. Будова, принцип дії та класифікація. Позначення типу. Режими роботи: активний; інверсний; насичення; відсічки. Використання транзисторів в підсилювачах, генераторах, перетворювачах сигналу, логічних схемах.

    реферат, добавлен 07.10.2019

  • Вибір типу транзисторів та схеми їх включення. Характеристика режимів роботи по постійному та змінному струму. Визначення коефіцієнта нелінійних спотворень вхідного сигналу та напруги джерела живлення підсилювача. Електричний розрахунок трансформатора.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2017

  • Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.

    автореферат, добавлен 28.09.2015

  • Математична модель біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора. Частотні мікроелектронні перетворювачі магнітного поля на основі трьох біполярних, МДН- та біполярного транзисторів з активним індуктивним елементом. Оцінка похибок вимірювання.

    автореферат, добавлен 28.09.2014

  • Наведення алгоритму SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Значення опорної напруги.

    статья, добавлен 29.09.2016

  • Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.

    реферат, добавлен 08.11.2013

  • Розрахунок потужності вхідного сигналу і необхідного коефіцієнта підсилення за потужністю. Вибір схеми, типу підсилюючих приладів і орієнтованого значення коефіцієнта підсилення за потужністю вихідного каскаду. Розрахунок орієнтованої кількості каскадів.

    лабораторная работа, добавлен 21.09.2017

  • Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.

    лабораторная работа, добавлен 18.04.2014

  • Розрахунок структурної схеми радіо-передавального пристрою. Наявні варіанти вибору транзисторів та каскадів підсилювачів. Схема узгодження між каскадами транзисторів і розрахунок потужності яка на ній розсіюється. Технічні вимоги до джерел живлення.

    контрольная работа, добавлен 12.06.2013

  • Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 18.04.2014

  • Параметри і характеристики діодів. Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів. Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи. Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв. Внутрішні завади аналогових пристроїв.

    учебное пособие, добавлен 07.07.2017

  • Вибір транзистора. Визначення розміру колекторного струму насичення. Розрахунок опору колекторного резистора. Синтез базового логічного елемента ТТЛШ. Розрахунок опору резистора в ланцюзі бази. Розрахунок часу вмикання і вимикання цифрового ключа.

    курсовая работа, добавлен 24.11.2012

  • Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.

    автореферат, добавлен 28.10.2015

  • Розрахунок резистивного каскаду попереднього зміщення на біполярному транзисторі. Побудова і розрахунок частотної характеристики каскаду. Розрахунок транзисторного джерела живлення компенсаційного типу. Розводка і побудова основних елементів схеми.

    курсовая работа, добавлен 12.12.2013

  • Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.

    автореферат, добавлен 26.02.2015

  • Визначення величини опору навантаження. Розробка структурної схеми. Вибір типу транзисторів. Визначення необхідного загального коефіцієнта підсилення за потужністю. Розподіл частотних та нелінійних спотворень по каскадах. Розрахунок регулятора тембру.

    курсовая работа, добавлен 28.11.2015

  • Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.

    автореферат, добавлен 28.07.2014

  • Розробка структурної схеми та мікропрограми операційного автомату, синтез операційних елементів. Розрахунок навантаження елементу ЕЗЛ, часові діаграми. Параметри, логічні схеми та описання ІС, що використовуються. Характеристики транзисторів та діодів.

    курсовая работа, добавлен 19.07.2013

  • Принцип роботи цифрового пристрою, який обробляє імпульсні сигнали, його характеристика, розрахунок селектора імпульсів, схеми скиду. Опис схеми управління записом даних оперативного запам’ятовуючого пристрою. Вибір і опис мікросхем та їх специфіка.

    курсовая работа, добавлен 23.12.2014

  • Розрахунок каскаду підсилювача низької частоти. Вибір транзистора КТ3102Б, значення кожного елемента схеми. Побудування схеми каскаду в середовищі ElectronicWorkbench. Моделювання схеми електричної принципової моделі каскаду по розрахованим параметрам.

    курсовая работа, добавлен 31.05.2016

  • Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.

    лекция, добавлен 15.03.2016

  • Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.

    автореферат, добавлен 28.08.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.