Исследование дефектообразования в ионно-имплантированных иттербием слоях кремния методом оптического ультрафиолетового отражения
Сущность и недостатки метода ионной имплантации. Исследование постимплантационных радиационных нарушений, образуемых при введении ионов иттербия (Yb+) в кремний. Особенности распределения ионно-имплантированного Yb+ в условиях термического отжига.
Подобные документы
Выращивание аморфных наногранулированных пленок типа "металл-диэлектрик" методом ионно-лучевого напыления на лавсановой подложке большой площади. Изучение распределения толщины, концентрации и относительного объема металлической фазы по площади пленок.
статья, добавлен 07.11.2018Разработка метода лазерного структурирования монокристаллического кремния, основанного на самоорганизации поверхности и возникновении спонтанно упорядоченных структур. Формирование в расплаве кремния волнообразных, концентрических, пирамидальных структур.
статья, добавлен 30.01.2018Изучение кинетики анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах. Анализ степени влияния связных добавок на состав, строение и свойства пленок анода диоксида силиция. Создание элементов кремниевых приборов и интегральных микросхем.
автореферат, добавлен 15.11.2015Получение электролюминесцентных структур на основе пористого кремния электролитически с использованием внутреннего источника тока. Определение инжекции дырок режимом их аккумуляции в области пространственного заряда концентрацией электронных состояний.
научная работа, добавлен 12.01.2012Взаимодействие ионов с веществом. Принцип действия установок. Глубинные профили концентрации. Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации. Масс-спектрометрический анализ нейтральных распыленных частиц.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010Исследование влияния эффектов радиационного повреждения сцинтилляционных кристаллов на параметры детекторов каскадных ливней. Анализ методов восстановления оптического пропускания кристаллов на основе оптического облучения и низкотемпературного отжига.
автореферат, добавлен 29.03.2018- 32. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Основы технологии выращивания монокристаллов кремния в виде полых цилиндров из расплава без формообразователя. Расчёт процессов теплопереноса в системе "полый цилиндрический кристалл-расплав" в процессе роста и в элементах конструкции теплового узла.
автореферат, добавлен 14.08.2018 Понятие и физическое описание процесса ионной имплантации как способа введения атомов примесей в поверхностный слой пластины. Изучение схемы установки по бомбардировке поверхностей пучком ионов. Состав дефектов при ионном легировании, пути их устранения.
курсовая работа, добавлен 05.03.2013Влияние лазерного вещества на конструкцию фотоэлемента из тонких пленок оксида цинка, аморфного кремния на стекле. Моделирование рекристаллизации в твердофазном состоянии. Взаимодействие поверхности кремния при воздействии импульсного лазерного излучения.
статья, добавлен 30.07.2017Измерение размеров силицидов кобальта, образующихся при диффузионном легировании кремния атомами кобальта методом малоуглового рассеяния излучения лазера. Специфика образования силицидов кобальта размерами 0,8-30 мкм в приповерхностной области кремния.
статья, добавлен 22.06.2015Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Применения сегнетоэлектрических пленок в электронике. Характеристика катодного и магнетронного способов ионно-плазменного распыления. Экспериментальная установка по исследованию сегнетоэлектрических плёнок. Ход и методика выполнения эксперимента.
учебное пособие, добавлен 02.06.2013Описание следящего оптического фазометра с временным дискриминатором видеосигнала для обработки малоконтрастного интерференционного поля. Особенности его практического апробирования в условиях гауссова распределения и марковской модели сигнала и фона.
статья, добавлен 15.08.2015Проблема недостатка запасов кремния с требуемыми параметрами и их получение с минимальными затратами. Результаты анализа и обсуждение данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков.
статья, добавлен 27.11.2018Экспериментальные данные по измерениям стойкости (прочности) покрытий при воздействии ультразвуковой кавитации. Установление высокой стойкости ионно-плазменных покрытий, ее взаимосвязь с микротвердостью. Изменение их поверхности при воздействии кавитации.
статья, добавлен 30.10.2016Проведение экспериментальных исследований для формирования элементов и структур микрофлюидики для гибридных сенсорных систем. Суть параметров ионно-лучевого травления по шаблонам, исходя из анализа результатов эксперимента и создания микроканалов.
статья, добавлен 29.05.2017Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Использование кремния в качестве материала для производства солнечных элементов. Изучение механизма формирования элементных и оксидных примесных включений в рафинированном кремнии при его кристаллизации, применение и специфика окислительного способа.
статья, добавлен 28.01.2019Локализация и повышенная плотность электромагнитного поля в тонких приповерхностных слоях как одно из уникальных свойств плазменных волн. Особенности интерпретации оптических эффектов при нарушении полного внутреннего отражения в геометрии Кречмана.
статья, добавлен 14.07.2016Исследование результатов моделирования кинетики замедленной флуоресценции молекул акрифлавина с помощью метода максимальной энтропии. Особенности применения метода Декстера с целью исследования переноса энергии триплетного возбуждения между молекулами.
статья, добавлен 25.06.2018Проведение исследования метода синтеза керамических материалов воздействием мощного потока ускоренных электронов. Основная характеристика рентгеновской дифрактограммы образца феррита, полученного с помощью способа радиационно-термического спекания.
статья, добавлен 29.06.2017Описание процесса бомбардировки поверхности твердого тела пучком ускоренных ионов или нейтральных атомов. Изучение методики исследования энергоспектров с помощью вторично-ионного масс-спектрометра, созданного на базе высокодозного ионного имплантера.
статья, добавлен 24.10.2010Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения. Создание миниатюрных и высокопрочных тензорезисторов. Определение возможностей их применения. Пластическая деформация нитевидных кристаллов.
статья, добавлен 04.12.2018