Исследование дефектообразования в ионно-имплантированных иттербием слоях кремния методом оптического ультрафиолетового отражения
Сущность и недостатки метода ионной имплантации. Исследование постимплантационных радиационных нарушений, образуемых при введении ионов иттербия (Yb+) в кремний. Особенности распределения ионно-имплантированного Yb+ в условиях термического отжига.
Подобные документы
Разработка систем на основе энергии Солнца. Преимущества и недостатки технологии тонкопленочных солнечных элементов из аморфного гидрогенизированного и микрокристаллического кремния. Методы получения пленок. Повышение конкурентоспособности фотовольтаики.
статья, добавлен 15.06.2018Взаимодействие ионов с веществом. Основные физические и приборные параметры характеризующие метод вторично-ионной эмиссии. Принцип действия установок для масс-анализа вторичных ионов, позволяющие получать сведения о распределении элемента по поверхности.
реферат, добавлен 03.12.2018Показаны тенденции развития фотоэлектрического преобразователя, который основан на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, методы повышения КПД.
статья, добавлен 19.06.2018Плазмонная модель подпорогового дефектообразования в промежуточных слоях сверхпроводника. Образование дефектов при распаде слабозатухающих коллективных возбуждений. Понижение их количества в аннигиляционном объеме и вблизи крупных вакансионных кластеров.
статья, добавлен 19.03.2014Определение понятия эпитаксии. Ознакомление с методами определения эпитаксиальных слоев. Рассмотрение преимуществ Фурье-спектрометрии. Изучение спектральной зависимости показателя преломления кремния с различной концентрацией свободных носителей.
курсовая работа, добавлен 28.03.2023Моделирование кооперативного механизма диффузии: под действием термического удара, применительно к фазам поверхностного слоя, образующихся в поверхностных слоях никотрированных теплостойких сталей, в процессе трения скольжения с ресурсным смазыванием.
статья, добавлен 02.11.2018Открытие учеными импульсного наносекундного лазерного отжига, протекающего с образованием жидкой фазы в приповерхностном слое полупроводниковой структуры. Новые методы импульсного отжига в зависимости от вида профиля распределения температуры пластины.
реферат, добавлен 22.11.2014Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Сущность и предназначение метода свёртывания схемы. Характеристика и специфика законов Кирхгофа, описание и особенности метода контурных токов. Преимущества и недостатки метода узловых потенциалов, использование метода наложения для линейных цепей.
презентация, добавлен 21.09.2016Численное моделирование диффузионного движения внедренных в кристалл атомов и дефектов, созданных облучением, за областью пробега. Процессы рекомбинации внедряемых атомов с термодинамически равновесными вакансиями. Сущность эффекта "дальнодействия".
статья, добавлен 28.09.2013Изготовление тепловых интерференционных фильтров на основе слоев двуокиси гафния с показателем преломления n = 2,0 и двуокиси кремния с n = 1,45. Разработка фильтров с высоким пропусканием в видимой области спектра за счет использования слоев кремния.
творческая работа, добавлен 30.11.2018- 62. Диффузное и дрейфовое движение электронов в N-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора
Анализ области температур диффузного и дрейфового движения электронов в N-типе кремния после облучения быстрыми нейтронами реактора. Расчет температурных зависимостей концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов, дрейфовых барьеров.
статья, добавлен 02.09.2013 Влияние деформации поверхности и физических полей на изменение механических характеристик конструкционных металлических материалов в процессе коррозии. Определение влияния ионной имплантации поверхности тонкостенных образцов на коррозионный износ.
автореферат, добавлен 28.10.2018Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Создание методики комплексного исследования радиационных характеристик и характеристик излучения гетерогенных продуктов сгорания в различных энергетических установках методом вычислительного эксперимента. Оценка и сравнение результатов экспериментов.
автореферат, добавлен 28.03.2018Влияние изотопного состава на энергетическое время жизни плазмы, воздействие борсодержащих материалов для покрытия стенок и лимиторов токамаков на ее изотопный состав. Физические механизмы формирования радиальных профилей ионной температуры дейтерия.
автореферат, добавлен 02.03.2018Теплоперенос в пограничных слоях прозрачного газа на стенках, подвергаемых с противоположной стороны лучисто-конвективному нагреву. Влияние поперечного перетока тепла в стенке, излучения поверхности на характер распределения поверхностных температур.
статья, добавлен 31.10.2017Экспоненциальная устойчивость нелинейных повторяющихся процессов с возможными нарушениями. Синтез алгоритма управления с итеративным обучением в условиях информационных нарушений. Сходимость ошибки обучения с переключающимся законом управления.
статья, добавлен 28.10.2018Структура высокотемпературных сверхпроводников. Германий и кремний как элементы IV группы, имеют кристаллическую решетку алмаза с ковалентным типом межатомной связи. Выращивание монокристалла методом Чохральского. Стабильность структуры диэлектриков.
контрольная работа, добавлен 11.09.2020Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014Процесс получения спектра методом Фурье-спектрометра. Особенности метода оптической спектроскопии Фурье. Анализ спектра при помощи интерферометра. Определение коэффициента оптического поглощения в одной из точек с минимальным пропусканием излучения.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Исследование термического превращения аморфного гидроксида железа. Анализ использования данных дифференциального термического анализа при пониженных давлениях и спектроскопии ядерного гамма-резонанса. Выявление образования кристаллического моногидрата.
статья, добавлен 29.06.2020Зависимости логарифма скорости внедрения индентора при различных нагрузках от обратной температуры. Использование метода графоаналитического дифференцирования по программе "Grafdifer.exe". Воздействие ультрафиолетового облучения на пенополиуретан.
статья, добавлен 13.02.2020Теория кристаллического поля. Учет кулоновского и спин-орбитального взаимодействия. Кулоновские корреляции и электронно–дырочная жидкость в двойных квантовых ямах. Расчет вклада кулоновского взаимодействия в энергию связанного оптического электрона.
дипломная работа, добавлен 09.09.2015Исследование псевдоожижения многокомпонентных, в том числе самопроизвольно формирующихся, "холодных" и "горячих" слоев процесса сжигания. Разработка метода идентификации прекращения ожижения, вызванного изменением гранулометрического состава слоя.
автореферат, добавлен 15.04.2018