Полупроводниковые приборы и интегральные схемы
Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
Подобные документы
Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Принципиальное отличие энергетического спектра квантовой точки от спектра квантовой ямы. Механизмы самоорганизованного роста тонкого слоя на поверхности монокристалла. Спектры фотолюминисценции.
презентация, добавлен 24.05.2014Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Основные понятия об электрических измерениях, виды средств измерения, их характеристика. Измерительные приборы, их типы и принцип действия. Достоинства электромагнитных измерительных приборов. Виды и методы измерений. Точность измерительных приборов.
реферат, добавлен 27.05.2015Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Применение вакуумных и плазменных приборов в современной электротехнике. Преимущества электровакуумных приборов. Характеристика лампы накаливания, вакуумно-люминесцентного синтезирующего модуля и электроннолучевых приборов (классификация, применение).
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Устройство, схемы и принцип действия приборов магнитоэлектрического, электромагнитного, электродинамического и ферродинамического типов. Их достоинства и применение. Использование астатических приборов для защиты от влияния внешних магнитных полей.
реферат, добавлен 25.05.2014Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Измерение - процесс определения физической величины с помощью технических средств. Классификация измерительных приборов. Метод сравнения, или нулевой метод, служащий основой действия приборов сравнения: мостов, компенсаторов. Класс точности приборов.
презентация, добавлен 15.12.2020Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Электронные приборы для анализа характеристик сигналов и схем. Электронно-лучевые осциллографы. Структурные схемы анализаторов спектра. Электромеханические, показывающие, регистрирующие, регулирующие и электронные приборы. Электродинамические приборы.
курсовая работа, добавлен 04.09.2011Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Применение ЭВМ (пакет OrCAD) для построения и анализа схемы пассивной линейной RLC цепи. Создание моделей полупроводниковых приборов с помощью Model Editor. Исследование шумовых и температурных свойств усилительного каскада на биполярном транзисторе.
методичка, добавлен 10.08.2013Общее представление о науке электронике. Типология электропроводности и вольтамперные характеристики движения тока. Определение электрической проводимости и свойств диодов. Основные параметры варикапа. Полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды.
презентация, добавлен 25.12.2013Характеристика электрических параметров, эксплуатационных данных и конструктивных особенностей тиристоров. Анализ инверторного режима в трехфазном мостовом тиристорном преобразователе. Временная диаграмма напряжений и токов тиристорного преобразователя.
контрольная работа, добавлен 27.03.2016Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
лекция, добавлен 04.10.2013- 97. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Исследование основных узлов структурные схемы оптико-электронных приборов. Системы первичной и вторичной обработки информации, цепи обратной связи. Построение структурных схем приборов оптико-электронной системы визуализации и обработки изображений.
лекция, добавлен 17.11.2018Словесное описание работы программы, блок схемы алгоритмов программ и подпрограмм. Влияние примесей на свойства полупроводников, блок схема алгоритма программы. Введенные и рассчитанные значения, графики зависимости. Результаты работы программы в Mathcad.
курсовая работа, добавлен 31.05.2018Знакомство с моделями активных элементов и принципами построения приборов для измерения параметров активных элементов электрических цепей. Измерение вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов. Расчет основных параметров в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 29.01.2015