Полупроводниковые приборы и интегральные схемы
Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
Подобные документы
Оперативные запоминающие устройства. Метод произвольного доступа. Основные требования, предъявляемые к оперативным запоминающим устройствам. Комплементарная транзисторная пара. Полная схема статического запоминающего элемента на основе триггеров.
лекция, добавлен 23.07.2013Понятие и общая характеристика приборов с зарядовой связью, их функции и область применения. Схемы организации: линейные и матричные. Принцип действия: с виртуальной фазой, фотодиодным накопителем, а также планарным и вертикальным антиблумингом.
контрольная работа, добавлен 23.07.2016Характеристика основных критериев, определяющих энергетическое разрешение прибора. Исследование пороговой чувствительности оптико-электронных приборов. Соотношения между уровнями полезного сигнала и шумов. Обобщенная методика энергетического расчета.
статья, добавлен 17.11.2018Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Создание spice-модели компонентов для моделирования схемы в среде Altium Designer. Определение параметров полупроводниковых приборов, индуктивных элементов и цифровых компонентов. Методика расчетов в процессе проектирования цифровых электронных схем.
курсовая работа, добавлен 26.10.2017Особенности лазерного излучения. Газовые и полупроводниковые лазеры. Принцип работы МО накопителя. Область применения и перспективы развития. Применение лазеров в военной технике: принципы наземной локации, голографических индикаторов на лобовом стекле.
реферат, добавлен 29.08.2015Построение электрического эквивалента нагрузки. Зависимость проводимости от частоты. Расчет квазиполосовой согласующей цепи. Коэффициент трансформации цепи. Величина полосовой добротности нагрузки. Потенциальные возможности оптимальной согласующей цепи.
контрольная работа, добавлен 23.11.2015- 109. Лазерные телевизоры
Определение и классификация лазеров по безопасности. Твердые лазеры на люминесцентных средах. Газовые и полупроводниковые лазеры. История лазерных проекционных телевизоров. Принцип действия лазерных кинескопов. Лазерный проектор и его применение.
реферат, добавлен 25.01.2010 Обзор новых моделей научных приборов японской корпорации SHIMADZU. Жидкостные и газовые хроматографы, энергодисперсионные рентгенфлуоресцентные спектрометры. Расширение аналитических возможностей, связанных с техническими характеристиками приборов.
статья, добавлен 27.02.2016Оптический тестер для измерения мощности оптического излучения в абсолютных и относительных единицах. Основные требования к оптическим тестерам. Светодиодные полупроводниковые источники, применяемые в локальных компьютерных сетях. Рабочий эталон.
реферат, добавлен 23.10.2012Упрощение и преобразование. Выбор типа логики и его обоснование. Расчет потребляемой мощности и среднего времени задержки распространения сигнала. Выбор активных элементов. Электрический расчет цифровой схемы. Расчет токов через резисторы и мощностей.
курсовая работа, добавлен 06.01.2012Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
курсовая работа, добавлен 07.12.2014- 115. Строение микросхем
Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013 Паразитная емкость резистора, индуктивность и нелинейность вольт-амперной характеристики. Высокоомные малогабаритные проволочные резисторы и нулевого сопротивления. Кодирование буква-цифра-цифра. Основные характеристики и классификация конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 07.11.2012Аксиомы операции конъюнкции и дизъюнкции. Переместительный и сочетательный законы. Виды триггеров по способу ввода информации. Постоянные резисторы общего назначения, их параметры и эксплуатационные возможности. Измерение сопротивления резистора.
контрольная работа, добавлен 22.09.2013Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Проблемы с маркировкой приборов в одинаковых корпусах: пассивные компоненты для поверхностного монтажа, конденсаторы, резисторы и прочее. Требования Международной электротехнической комиссии и использование внутрифирменной цветовой и кодовой маркировки.
лекция, добавлен 30.08.2012Структура курса "Электроника". Темы курса. Краткий конспект лекций курса. Физические основы электроники. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры и семисторы. Усилительный каскад на транзисторе и его параметры.
курс лекций, добавлен 20.07.2013Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Анализ основных предпосылок для развития отрасли, выпускающей контрольно-измерительные приборы. Перечень основных фирм-изготовителей измерительных приборов и всевозможных устройств контроля начала XX в. Улучшение качества записи и воспроизведения звука.
реферат, добавлен 22.02.2012Контроль температуры в системах дорожной и автомобильной автоматики. Полупроводниковые терморезисторы в качестве датчиков температуры. Индуктивный измерительный полупроводниковый преобразователь с периферийными схемами. Оцифровка температурных значений.
статья, добавлен 24.05.2018Этапы развития техники радиопередающих устройств, их строение и роль на судах в современных условиях. Составление предварительной структурной схемы радиопередатчика. Обоснование выбора необходимых приборов, расчеты основных показателей и их анализ.
курсовая работа, добавлен 15.12.2009