Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
Подобные документы
Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Схемы цепей питания транзисторов. Основные элементы транзисторного усилителя с трансформаторной связью, специфические черты и принцип действия. Особенности схемы усиления сигнала на полевых транзисторах. Действие резонансного и широкополосного усилителей.
лекция, добавлен 21.10.2014Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016- 61. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа усилителя мощности и дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Композитное включение транзисторов.
курсовая работа, добавлен 04.10.2012Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.
лекция, добавлен 23.09.2016Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Разработка и характеристика электрических схем аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов. Исследование принципов работы гибридных интегральных микросхем. Ознакомление с особенностями структурной схемы двухкаскадного усилителя.
курсовая работа, добавлен 06.02.2017Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.
курс лекций, добавлен 15.10.2010Задание величины отрицательной обратной связи с помощью пассивных элементов (резисторов), обладающих хорошей стабильностью. Разработка схемы с общим эмиттером, использующая транзистор. Использование полевых транзисторов. Метод дифференциального каскада.
лекция, добавлен 29.10.2013Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020Ознакомление с режимами работы транзисторов двух типов проводимости. Усилитель как устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Увеличение мощности за счет энергии источников питания. Теоретический расчёт каскада усиления.
контрольная работа, добавлен 17.05.2014Выбор функциональной схемы электронного блока. Основание выбора элементарной базы замкнутой САУ с токовым контуром. Выбор транзисторов и диодов. Драйверы силовых транзисторов. Расчет тепловых потерь мощного ключа. Задатчик на базе терморезисторов.
курсовая работа, добавлен 24.12.2018