Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
Подобные документы
- 101. Электронные приборы
Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015 - 102. Электронная техника
Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015 Разработка электрической принципиальной схемы усилителя. Расчет максимального напряжения в нагрузке. Определение мощности, рассеиваемой на резисторе. Вычисление максимального тока базы транзисторов выходного каскада. Калькуляция емкости конденсатора.
курсовая работа, добавлен 23.06.2015Понятие и функциональные особенности, внутреннее устройство мультивибраторов как монолитных интегральных микросхем. Роль и значение транзисторов в данных устройствах. Разработка электрической структурной и функциональной схем, их элементы и анализ.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Полевой транзистор - плоский конденсатор, между обкладками которого в диэлектрике помещён полупроводник, который является токопроводящим каналом. Зондовая станция - инструмент для непосредственного электрического подключения к тестовым транзисторам.
дипломная работа, добавлен 30.06.2017Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Запоминание двоичной информации триггером. Типы триггеров и их условное графическое обозначение. Подсчет числа входных импульсов счетчиками. Асинхронный двоичный счетчик с последовательным переносом. Одноразрядный сумматор двух переменных (полусумматор).
контрольная работа, добавлен 22.10.2013Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Описание комплекта типового лабораторного оборудования "Теоретические основы электротехники". Исследование параметрического стабилизатора напряжения. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов. Операционные усилители, их виды.
учебное пособие, добавлен 10.11.2014Расчет автоколебательного мультивибратора: выбор напряжения источника, выбор транзистора, расчет сопротивления резисторов и хронирующего конденсатора. Параметры ждущего мультивибратора, его транзисторов и резисторов. Проверка условия восстановления схемы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2012Основные параметры усилителя мощности низкой частоты. Процесс разработки функциональной схемы и принцип ее действия. Порядок выбора элементной базы прибора: усилителя и транзисторов. Правила расчета параметров схемы и определение пикового тока нагрузки.
контрольная работа, добавлен 17.04.2013Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).
лекция, добавлен 30.08.2012Транзистор как электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три или более вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Особенности их применения в проектировании микроэлектронных устройств.
доклад, добавлен 03.12.2014Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Движение электронов в ускоряющем электрическом поле. Анализ принципа действия триода. Схематическое устройство кинескопа для черно-белого телевидения. Кристаллическая структура полупроводника на плоскости. Классификация и маркировка транзисторов.
курс лекций, добавлен 09.07.2017Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Расчёт оконечного каскада. Выбор транзисторов по допустимой мощности рассеяния на коллекторе и максимальной амплитуде коллекторного тока. Выбор источника питания и расчёт входного сопротивления. Определение статического и динамического токов.
курсовая работа, добавлен 25.06.2015- 120. Модель Эберса-Молла
Ознакомление с параметрами нелинейной модели биполярного транзистора Эберса-Молла. Расчет среднегеометрического значения статического коэффициента передачи тока. Вычисление омического сопротивления и емкости коллектора транзисторов с малой мощностью.
задача, добавлен 27.12.2013 Определение числа каскадов усиления и составление структурной схемы усилителя низкой частоты. Схема оконечного каскада усиления на комплементарных парах транзисторов. Постоянный ток базы в рабочей точке. Сопротивление нагрузки RК в цепи коллектора.
курсовая работа, добавлен 16.02.2015Назначение и принцип работы импульсного блока питания, структура и взаимосвязь электронных узлов. Выбор элементной базы. Схема высокочастотного преобразователя. Характеристики ключевых транзисторов инвертора. Определение и локализация неисправностей.
реферат, добавлен 05.06.2015Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Рассмотрение принципа действия и схемотехники усилителя низкой частоты. Ознакомление с его техническими характеристиками. Исследование особенностей транзисторов выходного каскада. Изучение работы регулятора усиления в усилителях звуковой частоты.
статья, добавлен 19.02.2019