Интегральные устройства радиоэлектроники
Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
Подобные документы
Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
курсовая работа, добавлен 27.11.2012Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Схема усилительного каскада. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. Напряжение между базой и эмиттером, входное сопротивление каскада.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Полевой транзистор с цифровым интерфейсом. Схема, реализующая возможность снятия крутизны полевого транзистора. Требования к цифровому устройству, реализующему процедуру снятия зависимости крутизны полевого транзистора. Управляемый источник напряжения.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Особенности внедрения микропроцессорной техники в устройства управления промышленными объектами. Анализ функциональной схемы цифрового устройства. Схема детектора фронтов, тактового генератора, тактовых импульсов, преобразования параллельного кода.
контрольная работа, добавлен 16.01.2012Обобщенная структурная схема передатчика с прямым способом получения частотной модуляции. Расчет коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Расчет схемы связи оконечного каскада с нагрузкой. Выбор транзистора для автогенератора, расчет модулятора.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Структурная схема усилителя звуковой частоты. Состав резисторного каскада. Выбор типа транзистора и режима работы по постоянному току. Определение элементов принципиальной схемы устройства. Расчет результирующих показателей радиоэлектронного аппарата.
курсовая работа, добавлен 10.04.2014Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Исторические вехи становления электроники как технической науки. Прогрессивное значение изобретения радиолампы. Основная конструкция транзистора. Сплавная и диффузионная технология производства полупроводникового триода. Цикл изготовления микросхемы.
лекция, добавлен 26.10.2013Разработка структурной, принципиальной и функциональной схемы микропроцессорной системы контроля температуры нефти на выходе. Блок-схема управляющей программы. Принципы работы, основные характеристики микросхем, расчет потребляемой мощности системы.
курсовая работа, добавлен 12.03.2015Особенность осуществления общего программного управления кэшированием. Основная характеристика наборно-ассоциативной кэш-памяти. Анализ поэтапного выполнения микроопераций микропроцессором. Проведение исследования методов выработки управляющих сигналов.
контрольная работа, добавлен 17.05.2016Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2017Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.
методичка, добавлен 13.08.2013Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.
лекция, добавлен 01.09.2013Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013