Интегральные устройства радиоэлектроники
Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
Подобные документы
- 101. Полевые транзисторы
Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013 Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов. Характеристика схемы включения транзистора. Входное и выходное сопротивление для структуры с общей базой. Коэффициент передачи тока. Влияние роста частоты на работу радиоприемника.
контрольная работа, добавлен 28.03.2014Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Электроника как наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями. Знакомство с особенностями биполярного транзистора ГТ310А, рассмотрение способов определения параметров. Анализ этапов построения нагрузочной прямой по постоянному току.
курсовая работа, добавлен 18.02.2020Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Основные параметры биполярного транзистора, формирование его малого и большого сигнала. Расчёт принципиальной схемы усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, назначение и принцип действия. Амплитудно-частотные характеристики усилителей.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017Типы цифровых интегральных микросхем, их классификации и особенности работы. Общие сведения и простейшие двоичные счетчики. Сумматоры с параллельным переносом. Применение дешифраторов для программного управления. Реверсивные и программируемые счетчики.
лекция, добавлен 25.06.2013Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Вимоги до стабільності частоти генерованих коливань. Вплив інерційності транзистора на роботу автогенератора. Ефект Ерлі на колекторно-базовому переході. Засоби термокомпенсації режиму роботи транзистора. Визначення частоти контуру та його добротності.
реферат, добавлен 13.07.2017Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014- 113. Транзисторы
Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
реферат, добавлен 27.06.2015 Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013- 115. Модель Гуммеля-Пуна
Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013 Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Использование усилителей электрических колебаний различных видов с сохранением формы. Назначение совокупности каскадов и согласующего устройства. Схема стабилизации с отрицательной обратной связью по постоянному току, расчёт шумовых свойств транзистора.
реферат, добавлен 28.11.2010Электрические параметры биполярного германиевого усилительного высокочастотного маломощного сплавно-диффузионного транзистора. Определение его смешанных (гибридных) параметров по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 24.01.2015Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Описание технологии изготовления микросхем. Цоколёвка, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Формовка выводов прямоугольного поперечного сечения. Выбор метода присоединения пайкой. Требования при монтаже сваркой.
курсовая работа, добавлен 19.10.2014Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2016Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Схема системы передачи информации. Обоснование вида модуляции. Разработка транзисторного усилительного каскада электрических сигналов по переменному току. Выбор транзистора и моделирование статических характеристик. Анализ результатов моделирования.
курсовая работа, добавлен 21.02.2016Исследование структурных элементов передатчика. Принципиальная схема усилителя мощности с выходной цепью согласования. Методика расчета мощности рассеивания транзистора. Определение основных условий для возникновения фильтрации в цепи согласования.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016