Фотоелектричні і оптичні явища в фотодетекторах і сонячних елементах на основі напівпровідників А3В5 з текстурованою межею поділу
Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
Подобные документы
Вплив азоту та потужності розряду на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, отриманих методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази. Вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості кремнієвих сонячних елементів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Електричні властивості монокристалів, які використовуються для виготовлення інфрачервоних детекторів, інтерпретуються в рамках моделі вузькозонного напівпровідника, а оптичні властивості по теорії Кейна із сильно непараболічними енергетичними зонами.
автореферат, добавлен 24.02.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розробка загальної теорії обчислення ефективної нелінійної діелектричної проникності дисперсних систем. Дослідження ефекту підсилення локального поля в композитах на основі нелінійного діелектрика і металу. Розрахунок оптичних характеристик тонких плівок.
автореферат, добавлен 27.04.2014Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Експериментальне дослідження впливу ізовалентної домішки магнію на структурні та оптичні властивості селеніду цинку. Виявлення можливих генераційно-рекомбінаційних процесів і визначення природи складових оптичних спектрів легування монокристалів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Дослідження оптичних властивостей поверхонь малих тіл внутрішнього та зовнішнього поясів Сонячної системи. Визначення закономірностей в розподілі різних типів поверхні та орбітальних параметрів. Фізико-хімічна структура внутрішньої частини поясу Койпера.
автореферат, добавлен 30.08.2014Аналіз кристалічної структури, електронних і коливальних спектрів конденсованих плівок С60, легованих молекулами кисню і атомами міді. Вплив радіаційних пошкоджень на розсіяння світла, фотолюмінесценцію і оптичну провідність плівок молекул фулеренів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017З’ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологості, водними розчинами з різними рівнями кислотності. Чутливість інтенсивності фотолюмінесценції до спіральних структур полінуклеотидів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015- 49. Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групи
Розрахунок на основі тричастинкового потенціалу Терсофа розподілу довжин зв’язків для сплавів Ge1 xSix, Ge1-xSnx, Si1-xSnx, Si1 xCx. Вплив внутрішніх локальних деформацій та композиційної невпорядкованості на зонну структуру подвійних розчинів заміщення.
автореферат, добавлен 13.07.2014 Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014