Фотоелектричні і оптичні явища в фотодетекторах і сонячних елементах на основі напівпровідників А3В5 з текстурованою межею поділу
Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
Подобные документы
Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вивчення впливу орієнтуючих поверхонь на деякі електро-оптичні явища в рідких кристалів комірках. Характеристика світлоіндукованого переходу Фредерікса та відгук на взаємодію з кутовим моментом світла. Процес формування об'ємних дифракційних граток.
автореферат, добавлен 07.01.2014Особливості структури і конструкції моно- і мультифокальних інтраокулярних лінз різних видів. Порівняльний аналіз оптичних характеристик, які забезпечують якість бачення пацієнта. Характеристики та опереваги дифракційно-рефракційних мультифокальних лінз.
статья, добавлен 30.07.2016Розробка методів і засобів досліджень випадкових оптичних полів на основі методів сингулярної та кореляційної оптики, встановлення закономірностей формування їх структури, а також розробка нових методів і пристроїв відновлення характеристик таких полів.
автореферат, добавлен 22.02.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід освітлений паралельно та перпендикулярно. Аналіз характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Отримання бажаних параметрів вольтамперних значень. Перехід освітлений.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Дослідження впливу метастабільних центрів в розчинах AlxGa1-xAs на явища переносу та резонансних рівнів домішкових станів у безщілинних напівпровідниках, зумовлюючих електронну кореляцію. Залишкова фотопровідність вище розташованих домішкових станів.
автореферат, добавлен 22.07.2014Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014Розробка моделі сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором. Статична метрологічна характеристика, залежність функції перетворення від температури, зміна вихідної напруги пристрою з часом.
статья, добавлен 28.02.2017- 109. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках
Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014 - 110. Вплив H, C, N і Si на електронну структуру та фізичні властивості кристалів на основі сполук Fe і Cr
Спін-поляризований розрахунок енергетичної зонної структури і рентгенівських емісійних спектрів нітрида заліза Fe4N. Релятивістський розрахунок цементиту Fe3C. Обчислення енергетичної зонної структури і енергії когезії сплавів CrNiFe2Hx (x = 0, 2, 4).
автореферат, добавлен 18.11.2013 Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Побудова структурної моделі та розрахунок енергетичних характеристик кластерів X12Y12 сполук С, BN, SiC, ZnO, GaN. Розрахунок теоретичних інфрачервоних спектрів поглинання та спектрів комбінаційного розсіювання кластерів X24Y24 сполук С, BN, SiC.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розробка комп’ютерної моделі для дослідження поведінки магнітних наноматеріалів під впливом зовнішніх магнітних полів. Аналіз отриманих результатів згідно мікромагнетичної теорії, отримання залежності основних магнітних характеристик феромагнетика.
статья, добавлен 29.07.2016Формування наночастинок Ag в приповерхневих шарах стекол 98.0CaB4O7-2.0Ag2O і 97.0CaB4O7-1.0Gd2O3-2.0Ag2O відпалом у вакуумі або в атмосфері повітря. Аналіз різницевого спектру поглинання і спектру нормалізованого пропускання скла, відпаленого у вакуумі.
статья, добавлен 23.12.2016Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Розрахунок ян-теллерівських деформацій та розщеплень коливних мод молекули. Визначення ймовірностей спін-граткової релаксації у триплетно збуджених станах фулеритів. Порівняння результатів теоретичних розрахунків з наявними експериментальними величинами.
автореферат, добавлен 18.11.2013Вивчення мандельштам-бриллюенівського розсіяння світла від фотопружного середовища. Визначення параметрів поверхні шляхом розрахунку теплових флуктуацій. Визначення впливу падаючого випромінювання на рух фотопружного середовища при великій інтенсивності.
статья, добавлен 04.04.2014Процес проходження й відбиття світла від двошарової феромагнітної структури з неколінеарною орієнтацією намагніченостей шарів. Залежність оптичних характеристик структури від її параметрів і параметрів падаючої хвилі. Одержання рішень рівнянь Максвелла.
автореферат, добавлен 24.08.2015Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Зміни параметрів спектрів пропускання багатошарових інтерференційних структур (БІС) вузькосмугових оптичних фільтрів в залежності від поляризації та кута падіння. Визначення ефективності використання збіжності або розбіжності потоків випромінювання.
статья, добавлен 19.02.2016Структуроутворення ковалентної сітки зв'язків у складних халькогенідних некристалічних напівпровідниках при зміні складу та кореляція структури, динамічної та променевої стійкостей вздовж різних розрізів області склоутворення потрійної системи Ge-As-S.
автореферат, добавлен 13.07.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Оптимальні параметри для отримання алмазоподібних плівок в умовах електромагнітного опромінювання ростової поверхні. Механізми впливу випромінювання видимого і УФ-діапазонів на процеси росту і структуру плівок. Дія електромагнітного випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015