Формування діелектричних шарів при виробництві напівпровідникових ІМС
Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
Подобные документы
Особливості кристалічної структури, "хімічні" надпровідники. Одержання одно- і двошарових плівок з абеляційної плазми, ініційованої лазерною дією. Метод магнетронного напилення. Сквіди як сенсори енергії. Метрологія та квантова обробка інформації.
курсовая работа, добавлен 09.05.2010Дослiдження температурного поля силових напiвпровiдникових приладiв при дiї струмового iмпульсу довiльної форми. Інженерна методика розрахунку, що дозволяє розраховувати тепловий режим роботи напiвпровiдникових приладiв у складi електронних апаратiв.
статья, добавлен 27.07.2016Підвищення ефективності автоматизованого проектування напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Принципи побудови аналогових макромоделей силових елементів і пристроїв систем керування. Макромоделювання силової електроніки "Перетворювач".
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Основні вимоги до параметрів систем дистанційного зондування і до умов спостереження. Вивчення можливостей практичного використання багаточастотного аерокосмічного моніторингу поверхні суші для дистанційної діагностики ґрунтів і рослинного покриву.
автореферат, добавлен 25.04.2014- 31. Радіовимірювальні перетворювачі для визначення товщини плівок на основі пристроїв з від’ємним опором
Дослідження властивостей радіовимірювальних перетворювачів для визначення товщини плівок на основі пристроїв з від’ємним опором. Розрахунок динамічних характеристик перетворювачів з врахуванням залежності параметрів елементів пристроїв від впливу товщини.
автореферат, добавлен 30.07.2015 Залежність електрофізичних властивостей тонких феромагнітних плівок від їх товщини. Розподіл магнітного поля, створеного струмом в плівці та його її товщина. Вивчення усунення струмової складової перетвореного поля. Конфігурація чутливих елементів.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження шляхів впровадження технології блокчейн в державному управлінні, визначення потенційних переваг і проблем використання цієї технології у державному секторі та найкращих методів її впровадження. Аналіз сфер використання технології блокчейн.
статья, добавлен 18.12.2023Аналіз методу фільтрації зображень земної поверхні шляхом використання їхньої надмірності, пов'язаної із самоподібною структурою. Характеристика параметрів фрактального броунівського руху на фоні адитивної, мультиплікативної та імпульсної завад.
автореферат, добавлен 11.08.2014Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження структури корисних сигналів, відбитих від земної поверхні. Визначення умов однозначності вимірів у бістатичних радіолокаційних системах із синтезованою апертурою антени та методів підвищення ефективності формування зображень земної поверхні.
автореферат, добавлен 29.07.2014Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Забезпечення рівномірної обробки сировини, ефективності поглинання енергії поля. Багатократне проходження хвиль із забезпеченням поляризаційно-фазових умов їх безінтерференційного накладання. Аналіз поляризаційних дзеркал і трансполяризаційних відбивачів.
автореферат, добавлен 02.10.2018Теорія і практика застосування електронних, іонних і напівпровідникових приладів у пристроях, системах і установках. Освоєння та використання ультракоротких хвиль. Частотні властивості варикапів, принцип дії, схеми включення та основні характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.11.2014- 41. Тиристори
Будова, види та принципи дії тиристорів - напівпровідникових приладів вентильного типу, які відкривається для пропускання електричного струму при досягненні певного порогового значення напруги. Використання тиристорів в електричному колі, їх захист.
реферат, добавлен 21.12.2020 Рекомбінаційні параметри у пластинах кремнію в залежності від їх термічної передісторії високотемпературних обробок. Оптимізація технологічних процесів виготовлення сонячних елементів і фотоелектричних модулів з використанням кремнієвого матеріалу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження впровадження Mobile ID в Україні. Впровадження онлайн-сервісів та розвиток телекомунікаційної інфраструктури в контексті розвитку електронного врядування. Сфери використання технології Mobile ID, потенційні можливості й переваги сервісу.
статья, добавлен 07.11.2020Аналіз методу проектування лінзи Френеля на корпусі довільної форми, яка виконує роль оптичної системи приладу. Векторна форма закону Снеліуса для визначення геометричних параметрів внутрішньої поверхні. Розрахунок векторів нормалі плоских сегментів.
статья, добавлен 26.01.2017Алгоритм визначення траєкторії робота як інтерпретації "руху по неплоскій поверхні". Пошук геодезичної наближеним способом кінченої різниці у вигляді "методу пострілів". Оснований на використанні геодезичної лінії допоміжної поверхні спосіб опису.
статья, добавлен 28.10.2016Встановлення рівня забруднення сполуки CdTe хімічними домішками в процесі отримання кристалів. Методики отримання детекторів іонізуючих випромінювань й оптоелектронних пристроїв. Вплив умов хімічної обробки кристалів ZnSe на параметри діодів Шоттки.
автореферат, добавлен 28.08.2015Разработан оригинальный способ определения тангенса угла потерь тонких диэлектрических пластин и пленок в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Измерения тангенса угла потерь тонких пленок были проведены в резонаторе на частоте 69.4 ГГц.
статья, добавлен 07.11.2018Розробка технологічних термообробок кристалічних сполук АIIВVI для керованої зміни їх оптичних і електрофізичних властивостей з метою застосувань в оптоелектроніці. Оптимальні режими отримання структурно досконалих однорідних плівок ZnO оптичної якості.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз можливості використання композитних органічних і неорганічних барвників із люмінесцентним відгуком для створення реєструвальних середовищ. Внесення комплексних змін до структури інформаційних шарів оптичного диска та пристрою зчитування інформації.
статья, добавлен 29.01.2019- 50. Особливості створення систем оцінки геометричних параметрів дефектів методом тепловізійного контролю
Особливість формування температурного поля на поверхні об’єктів контролю. Конструкція контрольного зразка із штучними дефектами. Визначення характеристик температурних полів методом активного теплового контролю. Схема лазерно-термографічного приладу.
статья, добавлен 30.01.2017