Формування діелектричних шарів при виробництві напівпровідникових ІМС
Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
Подобные документы
Аналіз впливу системних помилок адаптивного управління на рівень втрат пакетів в комутаторі. Створення інформаційної технології управління вузловим обладнанням. Використання модифікованого алгоритму згладження для короткострокового прогнозування трафіку.
автореферат, добавлен 20.07.2015Параметри помилок і методи їх вимірювань по G.821. Особливості методології по М.2100. Параметри кодових помилок та якості аналогових сигналів, що передаються в системі Е1. Зв'язок кодових і бітових помилок. Аналіз циклової і надциклової структур.
реферат, добавлен 19.02.2011Характеристика шлейфового і кільцевого мікросмужкових резонаторів з мікромеханічним перелаштуванням. Розрахунок залежності резонансної частоти та діелектричних втрат резонаторів від величини повітряного проміжку між сигнальним електродом та підкладкою.
статья, добавлен 13.02.2016Розгляд розділу такої галузі метрології, як діелькометрія. Аналіз її фізичних підстав, а також сучасного стану та перспектив. Пропонування шляхів її розвитку. Огляд кола питань застосування діелектричних вимірювань, оцінка їх переваг та недоліків.
статья, добавлен 14.09.2016Методика розрахунку та експериментальні дослідження температурно-стабільної коливальної системи, заснованої на використанні складеного діелектричного резонатора з поперечними діелектричними включеннями. Підвищення термостабільності коливальних систем.
статья, добавлен 30.07.2016Функціональна, структурна схема САР. Визначення передаточних функцій розімкнутої та замкнутої систем та характеристичного рівняння. Оцінка якості регулювання замкнутої САР по ЛАЧХ розімкнутої системи. Побудова перехідного процесу, прямі показники якості.
курсовая работа, добавлен 12.09.2013Сучасні методи цифрової обробки сигналів, їх можливості та функції. Головні параметри технології цифрових водяних знаків: кількість інформації, подібність до сигналу та стійкість до впливу всіляких завад у каналі передавання. Алгоритм її формування.
статья, добавлен 29.09.2016Розробка моделі комбінованої хвилеводно-діелектричної ланки, що перестроюється по частоті, на основі якої здійснюється розрахунок смугових фільтрів. Розрахунок нерегулярного хвилеводного резонатору з поздовжнім і поперечним отворами в бічних стінках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Експериментальне дослідження та комп’ютерне моделювання вихідних і світлових діодних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію з p+-i-n+ структурою. Аналіз електронної моделі перетворювача.
статья, добавлен 23.12.2016Розробка систем синтезу частот міліметрового діапазону. Застосування багатокільцевих аналогових і цифрових систем фазового автопідстроювання коливань у синтезаторах. Отримання сітки частот в діапазоні радіохвиль з високими спектральними характеристиками.
статья, добавлен 30.01.2017Методи розрахунку потенціалів, напруженості поля та траєкторій електронів і заряджених іонів з врахуванням потенціалів електродів та мікронерівностей поверхні мікрокатоду. Розробка і верифікація топології схеми керування, інтегрованої з мікрокатодом.
автореферат, добавлен 14.08.2015У роботі розглядається неізотермічне окислення (горіння) малих домішок ацетону та етанолу в повітрі на платиновому дроті. Використовується припущення про повне окислення ацетону та етанолу на платині, як каталізаторі. Вольтамперна характеристика дроту.
статья, добавлен 30.09.2024Підвищення крутості схилів частотної характеристики внесеного затухання смугових фільтрів надвисоких частот багатоканальних станцій радіозв’язку із забезпеченням збереження ширини смуги пропускання при перестроюванні в заданому діапазоні робочих частот.
автореферат, добавлен 30.10.2015Математична модель гібридно-дзеркальної антени з урахуванням поляризаційної структури поля, що сформовано решіткою спіралей поблизу головного дзеркала. Аналіз амплітудно-фазового розподілу складових щільності струму на поверхні великого дзеркала.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розробка терморезисторних елементів струмового захисту радіоелектронної апаратури на основі керамічних напівпровідникових композитів CuxNi1-x-yCo2yMn2-уO4. Дослідження термокомпозиційних особливостей їх отримання, статистичної моделі терморезисторів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Характеристика електрофізичних властивостей структур кремній-на-ізоляторі та мікрокристалів кремнію у широкому інтервалі температур на постійному та змінному струмах. Аналіз передумов розроблення фізичних основ створення мікроелектронних сенсорів.
автореферат, добавлен 21.03.2016Дослідження та визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Розробка цифрової нелінійної моделі генерації випромінювання імпульсними рентгенівськими трубками.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження вимірювального перетворювача температури автогенераторного типу на основі реактивних властивостей напівпровідникових структур з покращеними параметрами. Вплив температури на компоненти малосигнального імпедансу біполярного транзистора.
статья, добавлен 23.12.2018Трансформатор - сердечник из тонких стальных изолированных одна от другой пластин, на котором помещаются две, а иногда и больше обмоток из изолированного провода. Преобразование напряжения в системах передачи и распределения электрической энергии.
реферат, добавлен 13.03.2017Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Аналіз температурно-часових характеристик процесу термообробки монокристалів напівізолюючого нелегованого GaAs з різною стехіометрією й структурою дислокацій. Розробка технологічних режимів керування електрофізичними параметрами епітаксійних шарів GaAs.
автореферат, добавлен 30.07.2015- 73. Удосконалення методик розрахунку нестаціонарних процесів у напівпровідникових електронних апаратів
Розробка удосконалених методик розрахунку нестаціонарних електромагнітних і теплових процесів у НК, що дозволяють проектувати високонадійні електронні апарати з прийнятними габаритними розмірами та вартістю. Теоретичні та експериментальні дослідження.
диссертация, добавлен 25.06.2014 Поняття внутрішніх джерел шумів підсилювача. Оцінка впливу дефектів напівпровідникових приладів і їх локалізації на характеристики ПП. Визначення фізичних шумових джерел. Індукційні джерела сигналів ІВС. Заходи корекції параметрів роботи підсилювача.
автореферат, добавлен 15.07.2014Розробка методик моделювання процесів росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb і епітаксіальних шарів GaAs в ультразвуковому полі. Можливий вплив ультразвуку на електрофізичні властивості монокристалів твердого розчину, формування шарів росту в кристалах.
автореферат, добавлен 28.09.2015