Сложные полупроводники, их соединения

Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.

Подобные документы

  • Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.

    статья, добавлен 30.10.2018

  • Понятие полупроводниковых индикаторов, основные принципы работы, классификация и характеристика. Физические эффекты, пригодные для использования в индикаторной технике. Органические и полимерные дисплеи. Сущность жидкокристаллических индикаторов.

    лекция, добавлен 17.08.2014

  • Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.

    статья, добавлен 06.11.2018

  • Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 16.04.2015

  • Методы расчета установившихся и переходных процессов в электрических цепях. Применения электротехники в инженерной практике. Свойства полупроводниковых элементов. Принципы работы активных и пассивных двухполюсников. Схемотехника цифровых устройств.

    учебное пособие, добавлен 02.11.2014

  • Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.

    реферат, добавлен 01.02.2011

  • Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.

    контрольная работа, добавлен 13.01.2020

  • Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.

    статья, добавлен 30.04.2018

  • Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.

    реферат, добавлен 11.05.2017

  • Понятие подложки в микроэлектронике. Развитие и производство полупроводниковых изделий и подложек на сегодняшний день. Источники загрязнения и важность снижения уровня загрязнений подложек. Классификация жидкостных и сухих методов очистки подложки.

    реферат, добавлен 18.08.2014

  • Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.

    лекция, добавлен 17.08.2014

  • Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

    учебное пособие, добавлен 18.04.2016

  • Кинетика роста интерметаллических соединений в контактах. Взаимная объемная диффузия металла. Прогнозирование времени деградации проволочных соединений алюминий-золото в диапазоне рабочих температур. Влияние технологических параметров на долговечность.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Методы получения тонких пленок, монокристаллов, керамических образцов. Свойства сверхпроводников.

    учебное пособие, добавлен 26.09.2017

  • Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.

    курсовая работа, добавлен 13.12.2013

  • Общая характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность органических полупроводников. Свойства, лежащие в основе функционирования OLED дисплеев. Основные направления оптоэлектроники, использующих органические полупроводники.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.

    реферат, добавлен 17.02.2022

  • Описание основных узлов системы коммутации. Центр коммутации подвижной связи - визитный регистр (MSC/VLR). Функции установления соединений: прием вызова на обслуживание, поиск маршрута для установления соединения с абонентом, мониторинг соединения.

    дипломная работа, добавлен 19.09.2016

  • Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.

    контрольная работа, добавлен 19.04.2014

  • Классификация электрических соединений. Отражение сигналов в длинных линиях. Распределение высокочастотного переменного, импульсного тока по сечению проводника. Защита от электрического замыкания провода на корпус изделия. Марки коаксиальных кабелей.

    лекция, добавлен 10.02.2014

  • Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.

    курс лекций, добавлен 04.03.2017

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.

    книга, добавлен 19.10.2013

  • Характеристика основных типов термодатчиков. Разработка системы диагностирования температуры среды на основании металлических и полупроводниковых датчиковых измерителей аппаратуры. Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции.

    курсовая работа, добавлен 23.12.2012

  • Общие принципы построения выпрямительных устройств. Классификация полупроводниковых выпрямителей. Двухполупериодная схема со средней точкой (схема Миткевича). Трехфазная мостовая схема (схема Ларионова). Кривая тока вторичной обмотки трансформатора.

    реферат, добавлен 06.05.2022

  • Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.

    контрольная работа, добавлен 22.03.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.