Сложные полупроводники, их соединения

Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.

Подобные документы

  • Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.

    курсовая работа, добавлен 11.03.2012

  • Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.

    статья, добавлен 23.01.2018

  • Разъемный метод соединения коннектор-коннектор. Сварка оптоволокна при помощи газовой горелки и лазера. Соединение оптических волокон методом склеивания. Светоизлучающие диоды: конструкции, принцип действия, электрические и оптические характеристики.

    доклад, добавлен 28.05.2012

  • Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.

    реферат, добавлен 03.06.2014

  • Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.

    курсовая работа, добавлен 08.10.2017

  • Виды полупроводниковых электронных устройств, принципы их работы. Переходная характеристика компаратора при различных превышениях скачка входного напряжения над опорным. Использование операционных усилителей общего применения и интегральных компараторов.

    реферат, добавлен 06.03.2023

  • Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.

    реферат, добавлен 24.04.2017

  • Физические свойства электровакуумных и полупроводниковых приборов. Описание импульсных устройств и преобразовательной техники. Основы микроэлектроники и вычислительной техники. Особенности судовой электроавтоматики и автоматизированных установок.

    книга, добавлен 13.03.2014

  • Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.

    реферат, добавлен 07.11.2013

  • Услуги, оказываемые предприятием для населения и операторов связи. Способы построения сетей городской телефонной станции. Технологии интернет-соединения ADSL. Организация широкополосного доступа. Построение сети IP-телефонии. Виды речевых соединений.

    отчет по практике, добавлен 28.08.2017

  • Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.

    реферат, добавлен 02.08.2009

  • Характеристика, отличительные черты и предназначение технологии xDSL, ISDN, ETHERNET. Использование выделенных соединений в сетях WAN, проверка целостности и качества соединений в сетях. Сравнение подключения интернет по выделенной линии и по ADSL.

    курсовая работа, добавлен 04.12.2016

  • Анализ пуска двигателей постоянного тока с помощью регулируемых сопротивлений и терморезисторных реостатов. Расчет диапазона возможностей терморезисторов для получения кривых пускового тока. Влияние величины нагрузочного момента на разгон двигателя.

    автореферат, добавлен 11.01.2018

  • Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.

    статья, добавлен 08.04.2019

  • Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.

    контрольная работа, добавлен 21.01.2017

  • Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).

    презентация, добавлен 27.04.2023

  • Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.

    курс лекций, добавлен 23.03.2015

  • История создания оптоволокна. Распространение света в струе воды. Создание гетеропереходов и построение на их основе полупроводниковых лазерных излучателей. Устройство простейшего оптического волокна. Фотонные кристаллы в природе, их классификация.

    презентация, добавлен 21.09.2016

  • Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.

    реферат, добавлен 07.07.2016

  • Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.

    курсовая работа, добавлен 21.02.2018

  • Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции. Конструктивный расчет терморезистора и термонезависимого сопротивления. Разработка топологии кристалла. Разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов.

    курсовая работа, добавлен 21.10.2012

  • Проведение исследования основных видов электрических соединений. Характеристика отражения сигналов в длинных линиях. Анализ конструкций сигнальных линий передач. Электрические параметры объемного монтажа. Особенность осуществления заземления корпуса.

    лекция, добавлен 15.11.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.