Расчет измерительных преобразователей
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
Подобные документы
Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.
контрольная работа, добавлен 03.09.2012Рассмотрение истории появления светодиодных ламп. Изучение устройства их элементов, принципа работы полупроводниковых диодов, сроков службы, положительных и отрицательных характеристик. Описание правил выбора светодиодной энергосберегающей лампы для дома.
презентация, добавлен 22.12.2015Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Наблюдение преобразований и искажений сигналов нелинейными элементами. Ознакомление с методами расчёта в режимах большого и малого сигналов. Активные элементы электрических цепей. Комплексное изучение вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
методичка, добавлен 25.02.2014Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.
презентация, добавлен 29.08.2015Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Особенности и преимущества светоизлучающих диодов по сравнению с другими электрическими источниками света, их спектральные характеристики и промышленное применение. Типичные структуры и параметры излучателей, используемых в современных оптронах.
реферат, добавлен 11.11.2009- 36. Типы диодов
Сущностная характеристика и устройство туннельных диодов. Возможности использования прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. Обращенные и металлополупроводниковые диоды: общие сведения и особенности.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013 Исследование взаимодействия электромагнитных волн в бесконечном излучающем электромагнитном кристалле, элементы которого содержат резистивно-емкостные нелинейные двухполюсники, являющиеся моделью полупроводниковых диодов. Изучение детектирования сигнала.
статья, добавлен 04.11.2018Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Рассмотрение основных параметров и характеристик диодов. Определение технологии применения диодов для выпрямления переменного тока. Характеристика удвоителя напряжения на базе двухполупериодного выпрямителя. Структурные схемы источников питания.
презентация, добавлен 27.09.2017Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах. Свойства резонансно-туннельных диодов. Коэффициенты отражения и прохождения. Коэффициент прохождения носителя заряда через двухбарьерную наноструктуру. Энергия носителя заряда.
статья, добавлен 28.05.2017Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Выбор и расчет элементов, входящих в состав компенсационного стабилизатора. Принцип действия биполярного транзистора. Параметры маломощных стабилитронов. Расчет стабилизатора. Основные элементы сглаживающих фильтров. Выбор диодов и расчет выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 10.12.2012- 44. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Обзор электронных полупроводниковых приборов, используемых в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых, цифровых интегральных микросхем, применяемых в системах управления.
статья, добавлен 21.10.2016Исследование однофазной однополупериодной и трехфазной нулевой схемы выпрямления в программе Multisim, а также схемы Ларионова. Вычисление среднего значения выпрямленного напряжения, тока вентиля, частоты пульсации и амплитуды обратного напряжения.
лабораторная работа, добавлен 11.03.2014Расчет констант распространения волноводных мод и полей мод в органических светоизлучающих диодах. Вычисление трех типичных структур диодов. Влияние введения рассеивающего слоя между прозрачным электродом и подложкой на эффективное рассеивание мод.
статья, добавлен 04.11.2018Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.
реферат, добавлен 13.08.2013Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015