Расчет измерительных преобразователей
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
Подобные документы
Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.
реферат, добавлен 22.11.2015Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Назначение, принцип действия, ремонт, техническое обслуживание и устройство различных конструкций трансформаторов. Классификация типов измерительных преобразователей. Основные параметры и характеристика конструкций измерительных трансформаторов.
курсовая работа, добавлен 12.06.2013- 56. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Классификация измерительных преобразователей, устройство, принцип работы и параметры вибрации вибростенда с датчиком измерения виброускорения и виброскорости. Работа измерительных преобразователей для измерений сил и давлений в динамическом режиме.
контрольная работа, добавлен 10.12.2014Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Конструкция и принцип действия индукционных (или генераторных) датчиков, их классификация, условные обозначения и маркировка. Параметры датчиков, нашедших применение в различных приборах. Индукционный датчик контроля толщины металлических покрытий.
реферат, добавлен 21.04.2016Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
реферат, добавлен 16.10.2014Принцип работы механоэлектрических резистивных преобразователей. Реостат как устройство для регулирования напряжения и тока в электрической цепи. Тензо-, фото- и терморезисторы. Особенности конструкции интегральных полупроводниковых тензорезисторов.
контрольная работа, добавлен 24.04.2013Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.
лабораторная работа, добавлен 16.06.2017Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Характеристика товарной группы. Состояние отрасли по производству электроприборов. Анализ белорусского рынка. Рассмотрение объема выпуска диодов-шумовых генераторов. Изучение производства стабилитроны малой и средней мощности в республике Беларусь.
курсовая работа, добавлен 23.10.2013Сущность стабилитронов, принцип их действия и основные параметры. Вольтамперная характеристика стабилитрона. Принцип действия однотактного выпрямителя с помощью временных графиков напряжения. Схема реле времени. Расчет напряжения на коллекторе, его ток.
контрольная работа, добавлен 25.09.2011Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019- 69. Монтаж и наладка
Высоковольтные источники питания повышенной и высокой частоты. Использование полупроводниковых преобразователей и ламповых генераторов. Регулируемый электропривод, структура и принцип работы силовой части. Вырезанные участки синусоид входного напряжения.
дипломная работа, добавлен 09.06.2014 Описание действия потока электронов в вакууме. Применение вакуумных диодов. Параметры триода: внутреннее сопротивление, коэффициент усиления, крутизна характеристики анодного тока, их характеристика. Достоинства и недостатки четырехэлектродных ламп.
реферат, добавлен 20.09.2014Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018Ключевые задачи по проблемам хемосорбции молекул кислорода и воды на поверхности полупроводниковых оксидов металлов (ПОМ), их каталитической активности. Механизмы взаимодействия газов с ПОМ. Проблемы сенсорной диагностики, которые требуют решения.
автореферат, добавлен 02.03.2018Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Назначение приборов сверхвысоких частот. Характеристика и особенности электровакуумных приборов. Устройство и принцип действия магнетрона. Понятие лавинно-пролетных диодов. Энергетические уровни атомов и молекул. Квантовые парамагнитные усилители СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Законы внешнего фотоэффекта. Принцип действия фотометра как измерительного прибора. Преобразование энергии в солнечных батареях за счет фотовольтаического эффекта, который возникает в полупроводниковых структурах при воздействии солнечного излучения.
реферат, добавлен 29.05.2013