Туннелирование в микроэлектронике
Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.
Подобные документы
Получение качественных соединений конструкционных неметаллических материалов (керамик, ферритов, ситаллов, кварцевых стекол и др.) с металлами и друг с другом. Схемы процесса применения высокоинтенсивных методов соединения материалов в твердом состоянии.
автореферат, добавлен 14.04.2018Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
методичка, добавлен 29.11.2012Особенность интеграции аналоговых и цифровых устройств в специализированные сложно-функциональные блоки. Анализ обобщенной структуры и основных свойств звеньев полосовых фильтров. Исследование схемотехнического проектирования звена второго порядка.
статья, добавлен 30.05.2017Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012Понятие микроэлектроники, термина "интегральная схема" (ИС). Компоненты, входящие в состав ИС. Особенности изделий микроэлектроники. Классификация микросхем по функциональному назначению. Три проблемы микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных ИС.
презентация, добавлен 27.11.2015Основные технические характеристики, область применения и основные особенности конструкции термопреобразователей сопротивления из металла. Методика апроксимации номинальной статической градуировочной характеристики термопреобразователей сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2012Использование эффекта значительного увеличения входного сопротивления усилителя для получения большого сопротивления. Оценка эффекта компенсации емкости соединительного кабеля при использовании усилителя. Измерение выходного напряжения милливольтметром.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Кинетика роста интерметаллических соединений в контактах. Взаимная объемная диффузия металла. Прогнозирование времени деградации проволочных соединений алюминий-золото в диапазоне рабочих температур. Влияние технологических параметров на долговечность.
статья, добавлен 28.10.2018- 34. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Характеристика службы 911 и требования Американской Федеральной комиссии связи. Проблема возможности предоставления провайдерами VoIP информации о местоположении пользователей. Сетевая архитектура 911 в решениях NENA. Характеристика контакт-центров 112.
статья, добавлен 19.02.2016Физическое объяснение способности обнаруживать радиоэлектронные объекты с использованием эффекта нелинейного рассеяния электромагнитных волн. Методика определения рабочей частоты и характеристики электромагнитной совместимости локаторов нелинейности.
статья, добавлен 07.10.2015Создание комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных металл-оксидных полупроводниковых транзисторов для сверхбольших интегральных микросхем, применяемых в новых системах управления двойного назначения.
автореферат, добавлен 15.02.2018Разработка алгоритма приближенного моделирования скрытых фрагментов инверсионно-хронопотенциометрического процесса совместного измерения массовой концентрации двух тяжелых металлов, позволяющий осуществить приближенное разделение массовой концентрации.
статья, добавлен 23.06.2016Использование автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и сред. Исследования эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна. Компьютерное моделирование работы автодина.
дипломная работа, добавлен 18.10.2011Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016- 42. Полупроводники
Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012 Разработка методики моделирования физических процессов в устройствах электроники. Анализ метода холодного моделирования. Характеристика реализации в конкретных современных устройствах схем с металлодиэлектрическими структурами для сверхвысоких частот.
статья, добавлен 13.01.2020Краткая история развития микроэлектроники и схемотехники. Триггерные схемы. Виды регистров: последовательные (сдвигающие), параллельные, параллельно-последовательные и реверсивные. Запоминающие устройства. Особенности построения блоков памяти на БИС ПЗУ.
курс лекций, добавлен 04.10.2013Особенности эффекта Фарадея в повороте плоскости поляризации линейно поляризованного света. Фактор "вмороженности" магнитных силовых линий в доменные структуры цилиндрического постоянного магнита. Анализ оптически прозрачного ферромагнитного стержня.
доклад, добавлен 16.02.2014Полное внутреннее отражение света. Математическое обоснование эффекта Снелли. Создание компьютеров и программного обеспечения. Роль и принцип работы оптоволоконной линии связи. Законы Снеллиуса и полное внутреннее отражение в слоисто-неоднородных средах.
реферат, добавлен 28.04.2016Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.
отчет по практике, добавлен 16.02.2015- 48. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Физические механизмы объемного заряжения диэлектрика при облучении электронами энергиями от 1 до 10МэВ. Описание вычислительных программ DICTAT и GEANT 4, методы моделирования ускорения частиц. Расчет возникновения электрического пробоя в диэлектрике.
курсовая работа, добавлен 25.06.2017Исследование современных проблем измерения скорости планерной составляющей цели при наличии турбовинтового эффекта отраженного сигнала в импульсно-доплеровской РЛС. Разработка модели турбовинтовой составляющей сигнала, описание алгоритма его подавления.
статья, добавлен 11.01.2018