Туннелирование в микроэлектронике
Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.
Подобные документы
Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Исследование динамической проводимости на постоянном токе. Отражение электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона от тонких пленок гранулированных аморфных металл-диэлектрических нанокомпозитов. Модель внутригранулярных (внутрикластерных) токов.
статья, добавлен 05.11.2018Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
автореферат, добавлен 02.07.2018Определение преимуществ и недостатков использования металлов (медь, золото, серебро, алюминий) и сплавов с высокой электропроводимостью (манганин, константан, фехраль). Использование припоев, проводниковых и резистивных материалов в микроэлектронике.
реферат, добавлен 30.08.2010Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018Технология использования присадочных металлов или сплавов при пайке для заполнения зазора между соединяемыми поверхностями с целью получения монолитного шва. Использование специальных клеев – контактол, наполненных серебряным порошком, в микроэлектронике.
контрольная работа, добавлен 18.04.2016Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Использование структур металл-диэлектрик-полупроводник - один из основных механизмов, позволяющих контролировать величину интегральной поглощенной дозы радиационного излучения. Выражение, которое применяется для определения суммы плотностей токов.
статья, добавлен 27.11.2018Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Учение о строении атомов и молекул. Сведения о полиморфных превращениях углерода, о наноуглеродных трубках и способах их получения. Свойства растворов неэлектролитов и электролитов. Физико-химические свойства металлов, полупроводников и диэлектриков.
учебное пособие, добавлен 19.08.2017Цифровая интегральная микросхема как схема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Элементы одноступенчатой логики. Транзистор по схеме "Комплементарный металл-диэлектрик-полупроводник".
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
лекция, добавлен 06.09.2017Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017- 17. Туннельный диод
Схематическое изображение туннельного диода, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Функции и работа стабилизаторов напряжения.
реферат, добавлен 17.03.2016 Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Оптические запоминающие устройства. Методы записи информации. Голографические запоминающие устройства (дефлекторы и пр.). МДП-ЭОМ (металл-диэлектрик-полупроводник-электрооптический материал) - структуры. Оптические электронно-вычислительные машины.
лекция, добавлен 17.08.2014Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015- 21. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 - 22. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Этапы развития методов исследования состава, структуры материалов микроэлектроники. Рассмотрение истории развития атомно-силовой микроскопии. Волновые функции электронов в атоме. Современная сканирующая туннельная микроскопия материалов микроэлектроники.
доклад, добавлен 22.12.2019Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.
курсовая работа, добавлен 30.06.2017