Влияние технологических факторов на дефектность структур кремний на сапфире

Исследование механизма гетероэпитаксии кремния на сапфире, для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Изучение методом резерфордовского обратного рассеяния эпитаксиальных слоев кремния выращенных на сапфировой подложке.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.