Матричные фотоприёмники 128x128 на основе слоёв HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs\AlGaAs
Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
Подобные документы
Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.
реферат, добавлен 19.05.2017Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Осовные типы гетеропереходов. Исследование квантовых ям и точек. Последовательный рост двух гетеропереходов. Использование структур, содержащих квантовую яму InGaNAs. Структуры с квантовыми проволоками и точками. Применение в длинноволновых лазерах.
статья, добавлен 01.03.2019Знакомство с лазерами или "оптическими квантовыми генераторами": их классы и положение, характеристики, сферы применения и принцип работы, а также процессы, происходящие в них, их появление и история их возникновения. Перечень основных типов лазеров.
доклад, добавлен 24.02.2011Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
статья, добавлен 30.05.2017Рассмотрение квантового эффекта Холла. Зонная диаграмма гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Зависимость холловского сопротивления и сопротивления от напряжения на затворе. Описание энергетического спектра электронов в постоянном однородном магнитном поле.
реферат, добавлен 12.09.2015Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Анализ стенда для тестирования инфракрасных фотоприёмных устройств в условиях ограничения фоновой облученности фоточувствительныхх элементов. Конструктивные особенности криооптической части стенда. Тепловой режим точечного источника излучения и фона.
статья, добавлен 07.12.2018Дослідження електрофізичних властивостей структур на основі поруватого кремнію і паладію при сорбції, накопиченні та виділенні водню з точки зору їх застосування як сенсорів і твердотільних джерел Н2. Оцінка інтенсивності виділення та виходу водню.
автореферат, добавлен 30.07.2015Принцип работы цифровых селекторов и коммутаторов на основе мультиплексора (трассировки данных). Описание особенностей действия суммирующих, вычитающих и реверсивных двоичных счетчиков, сумматоров, регистров, триггеров, характеристика их значений.
презентация, добавлен 08.07.2014Анализ результатов исследований и разработок фотодиодов и матричных фотоприёмников на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Характеристика структуры, топологии и параметров фотодиодных матриц. Электрические схемы кремниевых мультиплексоров.
статья, добавлен 23.06.2013Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Закономерности преобразования квазидвумерной системы спинов, локализованных в доменных границах. Разработка методов регистрации доменной структуры и ее преобразования в слоистых наномагнетиках. Изучение элементарных актов перемагничивания гетероструктур.
автореферат, добавлен 02.03.2018Понятие средних значений физических величин. Квантовые операторы, их виды, действия с квантовыми операторами. Уравнение Шредингера, квантомеханическое уравнение непрерывности. Движение электронов в потенциальных полях, кванторазмерные структуры.
контрольная работа, добавлен 21.08.2015- 43. Температурная зависимость двухмагнонных возбуждений в пленках феррита висмута легированного неодимом
Анализ итогов проведения высокотемпературных исследований спектров комбинационного рассеяния света эпитаксиальных гетероструктур феррита висмута, допированного неодимом, описание результатов по высокочастотной области спектра и интенсивности рассеяния.
статья, добавлен 29.06.2017 - 44. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Основы технологии выращивания монокристаллов кремния в виде полых цилиндров из расплава без формообразователя. Расчёт процессов теплопереноса в системе "полый цилиндрический кристалл-расплав" в процессе роста и в элементах конструкции теплового узла.
автореферат, добавлен 14.08.2018 Открытие явление фотоэффекта немецким физиком Г. Герцом в 1887 году. Получение изображения посредством электронно-лучевой трубки. Разработка первой телесистемы, способной передавать движущиеся изображения. Первые телевизоры для массового производства.
презентация, добавлен 27.12.2016Революция в естествознании: возникновение учения о строении атома. Дальнейшее развитие концепции атомизма. Виыд элементарных частиц, их специфические, индивидуальные признаки, которые характеризуются их квантовыми числами. Кварковая модель адронов.
реферат, добавлен 07.08.2010Ионно-лучевой метод получения композиционных и многослойных пленок. Основные методики измерения температурных зависимостей электрического сопротивления, кривых намагниченности и комплексной магнитной проницаемости гетерогенных тонкопленочных образцов.
автореферат, добавлен 16.02.2018Изучение теории фазовых переходов второго рода. Анализ фазового перехода, управляемого не классическими тепловыми флуктуациями, а квантовыми, которые существуют при абсолютном нуле температур. Реализация классического перехода вследствие теоремы Нернста.
статья, добавлен 10.08.2018Исследование динамики заполнения электронами подзон размерного квантования в гетероструктурах при низких температурах и больших магнитных полях. Изучение механизмов возникновения амплитудно-частотной модуляции осцилляций поперечного магнитосопротивления.
автореферат, добавлен 01.09.2018Приведение уравнений осциллятора к безразмерному виду. Осциллятор с квадратичной нелинейностью, с кубической нелинейностью (осциллятор Дуффинга, потенциал с двумя ямами). Зависимость силы от координаты. Потенциальная энергия и фазовый портрет осциллятора.
лекция, добавлен 24.07.2014