Матричные фотоприёмники 128x128 на основе слоёв HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs\AlGaAs
Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
Подобные документы
Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Аналіз моделі поглинання випромінювання для оптоелектронного напівпровідникового транспаранта з двохвильовим керуванням, оцінка адекватності запропонованої моделі. Аналіз залежності коефіцієнта поглинання GaAs/AlGaAs при різних прикладених напругах.
статья, добавлен 28.02.2017Квантовые поправки к проводимости двумерных структур на основе GaAs. Определение области проводимостей, в которой теория квантовых поправок количественно согласуется с экспериментальными данными. Неомическая проводимость двумерного электронного газа.
автореферат, добавлен 08.02.2013Анализ металл-диэлектрических структур при углах падения света больше критического. Расчет зависимостей коэффициента отражения многослойных структур, объединяющих схемы Отто и Кречмана, с различным расположением металлических и диэлектрических пленок.
статья, добавлен 30.11.2018Оценка качества цветного изображения на основе теории тоновоспроизведения. Исследование влияния тоновоспроизведения на субъективную оценку качества изображения в гибридных системах. Влияние степени проявленности на восприятие цветного изображения.
статья, добавлен 07.12.2018- 81. Информационные технологии управления качеством процесса выращивания монокристаллов полупроводников
Изучение комплекса информационных технологий, обеспечивающих мониторинг процесса выращивания монокристаллов, поддержку принятия решений по коррекции режима выращивания, а также оптимизацию геометрических параметров теплового экрана ростовой установки.
статья, добавлен 22.03.2016 Испарительные охладители прямого и непрямого типа с насадкой на основе многослойных и многоканальных полимерных структур. Использование охладителей в автономных и комбинированных вариантах, а также в составе солнечных осушительно-испарительных систем.
статья, добавлен 02.02.2019Разработка оптимальных физико-технологических условий роста пленок теллурида цинка. Описание стационарных характеристик при выращивании разными методами: жидкофазной эпитаксии и вакуумного напыления. Процесс изучения влияния примесей алюминия и лития.
автореферат, добавлен 29.08.2013Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Подготовка данных по электрической модели для ввода в ЭВМ. Компонентные уравнения для индуктивных и емкостных элементов. Алгоритм и специфика расчета матричных коэффициентов, входящих в уравнения математической модели цепи с нелинейными резисторами.
реферат, добавлен 21.10.2013Рассмотрение автономной системы энергоснабжения от солнечных модулей на основе структур с переключаемыми конденсаторами. Повышающие и понижающие преобразователи постоянного напряжения. Конденсаторно-диодная цепь. Системы с переменной структурой.
реферат, добавлен 02.02.2017Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016Различия в свойствах тел. Распределение молекул по скоростям, броуновское движение. Эксперименты, лежащие в основе молекулярно-кинетической теории. Понятие идеального газа. Температура и способы ее измерения. Уравнение состояния идеального газа.
реферат, добавлен 01.04.2015Электронный индикатор как электронное показывающее устройство, предназначенное для визуального контроля за событиями, процессами и сигналами. Физические принципы формирования изображения. Конструкции информационного поля. Шкальные и матричные индикаторы.
презентация, добавлен 14.12.2015Формирование опорной волны интерференционного объекта. Осуществление голографического процесса цифровой записи и считывания информации. Определение объектов-транспарантов в соединительных голограммах Фурье. Преимущества композиционного изображения.
презентация, добавлен 19.10.2014Молекулярно-кинетическая теория газов - учение, объясняющее тепловые явления в газовых средах и свойствах на основе их молекулярного строения. Положение и взаимодействие частиц газов: диффузия, броуновское движение, изменение агрегатных состояний.
шпаргалка, добавлен 28.04.2012Эксперименты по нанесению тонких пленок ITO. Изучение возможности использования прозрачных проводящих пленок оксида индия и олова, получаемых методом электронно-лучевого напыления, в качестве контактного материала для отражающего контакта к слою p-GaN.
статья, добавлен 05.11.2014Назначение, классификация и основные устройства осциллографов. Устройство осциллографической электронно-лучевой трубки, анализ ее эксплуатационных параметров. Динамическая чувствительность на частотах. Структурная схема универсального осциллографа.
реферат, добавлен 01.03.2012Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Матрицы сопротивлений и проводимостей для цепей со взаимной индукцией. Составление матричных соотношений при наличии ветвей с идеальными источниками. Запись уравнений без использования матричных соотношений. Матричная форма узловых уравнений Кирхгофа.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Определение понятия эпитаксии. Ознакомление с методами определения эпитаксиальных слоев. Рассмотрение преимуществ Фурье-спектрометрии. Изучение спектральной зависимости показателя преломления кремния с различной концентрацией свободных носителей.
курсовая работа, добавлен 28.03.2023Линза - оптически прозрачное тело, ограниченное сферическими поверхностями. Применение их свойств для нахождения изображения графическим методом. Фокус как точка, в которой лучи после преломления собираются. Ход пучков света через рассеивающую линзу.
конспект урока, добавлен 05.03.2014Солнечные батареи с полупроводниковыми фотоэлектрическими преобразователями как вид бортовых энергоустановок на существующих и разрабатываемых космических аппаратах. Особенности солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge с повышенной радиационной стойкостью.
статья, добавлен 16.11.2018Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Разработка цифрового генератора синусоидального сигнала со стабильной амплитудой и перестраиваемой частотой в определённом диапазоне. Создание структурной схемы, описание работы; расчет параметров, обеспечивающих заданные условия; моделирование узлов.
реферат, добавлен 18.05.2010