Инерционные свойства транзисторов
Обобщение инерционных свойств транзисторов, которые начинают проявляться при быстром изменении сигнала. Причины ограничения частотных свойств транзисторов и возникновения их шумов или хаотическое изменение тока коллектора под действием различных факторов.
Подобные документы
Появление усилительных элементов – транзисторов, интегральных схем и других электронных приборов, усиливающих электрические сигналы. Создание широкополосных усилителей гармонических и импульсных сигналов, предназначенных для телевидения, радиолокации.
контрольная работа, добавлен 09.10.2018Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Практическое развитие нанооптики. Использование наноматериалов для изготовления защитных и светопоглощающих покрытий, спортивного оборудования, транзисторов, светоиспускающих диодов, топливных элементов, лекарств и медицинской аппаратуры, лазеров.
статья, добавлен 01.03.2019Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Открытие Лосевым электромагнитных колебаний и их усиление в полупроводниковом кристаллическом детекторе. Создание прибора "кристадин" на контактной паре металлического острия и кристалла цинкит. Изучение P-N переходов и серийное производство транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2011Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Применение тиристоров и IGBT-транзисторов в качестве полупроводниковых модулей в мощных инверторах. Подбор снабберных элементов для модуля CM600DY-24F. Выбор конденсаторов для входного выпрямителя. Вычисление уравнительных резисторов для инвертора.
контрольная работа, добавлен 01.12.2016Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.
лекция, добавлен 08.08.2020Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Изучение основных характеристик операционных усилителей. Разработка усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Способы борьбы с температурным дрейфом в биполярных транзисторах. Анализ метода дифференциального каскада. Полная схема основных транзисторов.
лекция, добавлен 20.09.2017Физические основы и применение гетеропереходов. Особенности излучателей: инжекционных лазеров, светодиодов и искусственных квантовых ящиков. Интегральная оптика для связи: характеристика используемых материалов и принцип работы фотодиодов и транзисторов.
реферат, добавлен 14.06.2011Доверительный интервал для двух значений доверительной вероятности. Оценка систематической погрешности. Доверительные границы случайной погрешности. Определение параметров транзисторов вместе с погрешностями. Поверка и функционирование средств измерений.
контрольная работа, добавлен 18.11.2015Влияние радиационного облучения на изменение термодинамических свойств конденсированных систем. Свойства облучаемого вещества, скорость генерации и релаксации радиационных возбуждений. Индуцированное изменение условий растворимости твердых тел в жидкости.
статья, добавлен 07.10.2013Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Определение числа поддиапазонов и их границ, выбор промежуточной частоты. Расчет полосы пропускания, уточнение распределения усиления в радиоприемнике и обоснование системы регулирования усиления. Выбор транзисторов и вычисление их основных параметров.
статья, добавлен 24.12.2020Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Использование транзисторов силового контура, описание питания электродвигателей напряжением прямоугольной формы. Определение коэффициента передачи фильтра по напряжению первой гармоники. Классификация видов импульсной модуляции одноуровневого напряжения.
реферат, добавлен 15.01.2016Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.
презентация, добавлен 23.09.2016Особенность применения элементов электронных схем. Характеристика биполярных и полевых транзисторов. Анализ устройства для формирования и аналого-цифрового преобразования сигналов. Сущность линейных конфигураций на основе операционных усилителей.
учебное пособие, добавлен 17.01.2015Общие сведения о транзисторном бестрансформаторном усилителе мощности и принцип его построения. Усилитель мощности с дополнительной симметрией и на составных транзисторах. Осуществление стабилизации положения точек покоя транзисторов оконечного каскада.
реферат, добавлен 07.01.2015Влияние магнитного поля на свойства ферромагнитных материалов. Изменение свойств "немагнитных" твердых тел в слабых магнитных полях. Исследования изменения в магнитном поле физико-механических свойств поликристаллических металлов, подвергаемых ползучести.
статья, добавлен 10.07.2013Исследование зарядовых и частотных свойств гетероструктур. Разработка сложных систем с применением ЭВМ. Иерархическая структура и состав низовых функционально завершенных звеньев. Декомпозиция структуры ранее разработанных систем до низовых звеньев.
реферат, добавлен 01.08.2009Состав пространственных факторов и производительных свойств земли, влияющих на энергозатраты в земледелии. Анализ энегозатрат как совокупности техно- и биозатрат. Влияние пространственных факторов и производительных свойств земли на их величину.
статья, добавлен 24.11.2017