Инерционные свойства транзисторов
Обобщение инерционных свойств транзисторов, которые начинают проявляться при быстром изменении сигнала. Причины ограничения частотных свойств транзисторов и возникновения их шумов или хаотическое изменение тока коллектора под действием различных факторов.
Подобные документы
Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Динамика работы выпрямительного агрегата. Расчет схемы замещения, цепи нагрузки подстанции. Измерение, учет и контроль энергии. Защита от перенапряжений. Разработка преобразователя на основе полностью управляемых силовых ключах транзисторов IGBT.
дипломная работа, добавлен 11.01.2015Подавление высокочастотных составляющих (шума) из спектра сигнала. Удаление шума и сжатие одномерных и двумерных сигналов. Изменение вейвлет-коэффициентов. Пакетные функции очистки и сжатия. Удаление шумов и сжатие с использованием пакетных вейвлетов.
статья, добавлен 15.11.2018Расчёт числа каскадов, выбор транзисторов. Вычисление промежуточного и входного каскада, использование коррекции эмиттерной противосвязи, которая стабилизирует коэффициент усиления каскада. Выигрыш в площади усиления при простой параллельной коррекции.
курсовая работа, добавлен 24.03.2020Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Рассмотрение вопросов тяготения и его связи с электрическими явлениями. Обоснование гравитационных и инерционных свойств среды эфира, имеющего электромагнитные свойства. Моделирование процессов гравитации на частице с элементарным электрическим зарядом.
статья, добавлен 22.11.2018Развитие техники радиопередающих устройств. Расчет структурной схемы, выбор транзисторов. Обоснование принципиальной электрической схемы. Расчет выходной колебательной системы и задающего генератора. Выбор источника вторичного питания, усилителя мощности.
курсовая работа, добавлен 29.04.2021Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012- 84. Действие света
Понятие фотоэлектрического эффекта. Изменение длины волны фотонов при рассеянии электронами и нуклонами. Преломление материалов под действием электрического поля. Зависимость оптических свойств вещества от его намагниченности. Явления нелинейной оптики.
реферат, добавлен 19.09.2015 Компьютерное моделирование асинхронного тягового привода с применением самых точных моделей транзисторов. Количественная оценка снижения динамических нагрузок. Схема электрической цепи с транзистором при линейном нарастании напряжения источника питания.
статья, добавлен 27.05.2018Исследование электрической проводимости газов. Изменение электропроводности под действием нагрева и ионизации. Изучение свойств ионной проводимости. Рассмотрение явлений искрового разряда и молнии. Принципы применения коронного и дугового разрядов.
реферат, добавлен 12.02.2015Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Характеристика свойств электрического тока. Описание цепи постоянного тока. Изучение закона Ома. Определение силы тока короткого замыкания. Описание приборов для измерения тока. Характеристика последовательного и параллельного соединения проводников.
реферат, добавлен 15.09.2016Понятие и история открытия сверхпроводников. Особенности конечных температур, критического тока, глубины проникновения. Обобщение основных свойств сверхпроводников. Микроскопическая теория сверхпроводимости Бардина-Купера-Шриффера (БКШ) и Боголюбова.
курсовая работа, добавлен 22.04.2012Выбор исполнительного двигателя и редуктора, чувствительного элемента следящей системы. Технические данные вращающихся трансформаторов. Выбор преобразовательного элемента. Выбор и расчет усилителя для следящей системы. Анализ параметров транзисторов.
курсовая работа, добавлен 01.11.2016Влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики полупроводниковой структуры транзисторов. Анализ системы схемотехнического моделирования LTspice IV. Проектирование вариантов схем источника опорного напряжения с учетом внешних воздействий.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018Физическое состояние нефти и газа при различных условиях. Изменение свойств нефти и газа в зависимости от их химического состава. Отклонение состояния реальных газов от законов идеального газа. Определение и измерение плотности и вязкости газов.
лекция, добавлен 05.04.2020Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Схема и параметры экспериментальной модели входного цилиндрического коллектора теплообменника. Установление влияния на поле скоростей на выходе из коллектора различных неравномерностей подачи расхода теплоносителя на вход коллектора в теплообменнике.
статья, добавлен 29.04.2017Исследование релаксационных свойств жидких кристаллов, подверженных воздействию магнитных полей. Границы применимости гидродинамических теорий нематической фазы. Изменение амплитудных, частотных параметров анизотропии коэффициента поглощения ультразвука.
автореферат, добавлен 02.03.2018Теоретические аспекты понятия "ионизирующее излучение": сущность понятия и характеристики видов, источники и приемники, его практическое применение. Изменение свойств материалов и элементов радиоэлектронной аппаратуры под действием ионизирующих излучений.
курсовая работа, добавлен 12.01.2013Определение физических различий между низким, высоким и сверхвысоким давлением. Определение возможностей создания высокого статического давления. Изменение свойств при изменении давления. Особенности биологических объектов при высоких давлениях.
презентация, добавлен 17.07.2015Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Принципиальная схема и принцип действия автономного инвертора напряжения резонансного типа. Расчет транзисторов, выбор дросселя и емкости, расчет понижающего трансформатора напряжения. Проведен анализ выбранных схемных решений по защите и управлению.
курсовая работа, добавлен 12.06.2018Таблицы теплофизических свойств веществ. Теплофизические свойства газового конденсата месторождения на линии насыщения. Определение плотности газового конденсата. Свойства теплоносителей и рабочих тел энергетики. Расчет термодинамических циклов.
реферат, добавлен 18.04.2010