Полупроводниковые приборы
Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
Подобные документы
Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
курсовая работа, добавлен 29.05.2024Изучение понятия диффузионной емкости p-n-перехода. Барьерная емкость. Р-n-переход как система из двух проводящих плоскостей, разделенных диэлектриком, то есть как плоский конденсатор. Особенности определения инерционности p-n-перехода барьерной емкостью.
презентация, добавлен 20.07.2013Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Описание способа изготовления перехода Джозефсона и исследование по возможности улучшения его воспроизводимости и качества. Возможность управления параметрами процесса изготовления перехода с учетом характеристик высокотемпературного сверхпроводника.
статья, добавлен 01.02.2019Общее понятие и классификация диодов. Структура и схемы включения диода во внешнюю электрическую цепь. Схема электрическая принципиальная однофазных двух полупериодных выпрямителей. Характеристика и график зависимости параметрического стабилизатора.
лекция, добавлен 02.08.2013Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Описание конструкции и принципа работы электронно-лучевого осциллографа. Способ и схема измерения сопротивления заземлителя. Конструкция, принцип работы и область применения электрического преобразователя электролитического типа, его главные функции.
контрольная работа, добавлен 13.01.2011Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
статья, добавлен 08.02.2017Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Электростатические приборы, их разновидности, устройство, преимущества и недостатки. Принцип действия приборов с изменяющейся площадью пластин и приборов с изменяющимся расстоянием между пластинами. Область применения электростатических приборов.
реферат, добавлен 06.12.2015Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.
реферат, добавлен 22.11.2015Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Насыщенность помещения светом. Светильники общего освещения. Распределение яркостей в помещении. Осветительные приборы экспозиционного освещения. Принцип действия разрядных ламп высокого давления. Полупроводниковые светоизлучающие приборы.
реферат, добавлен 08.06.2015Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.
лекция, добавлен 03.10.2012Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Назначение приборов сверхвысоких частот. Характеристика и особенности электровакуумных приборов. Устройство и принцип действия магнетрона. Понятие лавинно-пролетных диодов. Энергетические уровни атомов и молекул. Квантовые парамагнитные усилители СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Характеристика принципа работы динистора его основных свойств. Рассмотрение процесса функционирования тиристора в цепи постоянного тока. Определение области применения симисторов в качестве трансформатора тока с плавной перестройкой коэффициента.
лекция, добавлен 21.10.2014Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018