Вольтамперные характеристики транзистора (ВАХ)
Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
Подобные документы
Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Основные способы осуществления исходного режима транзистора. Изменение выходного тока вызванные факторами, действующими при колебаниях температуры окружающей среды. Стабилизация исходного режима. Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией.
реферат, добавлен 27.06.2015Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Использование квадратичной модели прибора для анализа цепи с МОП-транзисторами. Возникновение режима насыщения МОП-транзистора с индуцированным каналом, его характеристика. Сопротивление резистора в цепи стока. Сопротивление эквивалентного резистора.
лекция, добавлен 03.03.2017Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015- 82. Расчет однофазного трехканального стабилизированного источника питания для электронных устройств
Расчет стабилизаторов напряжения, выбор микросхемы, стабилитрона и транзистора. Расчёт выпрямителей с ёмкостным фильтром и внешняя характеристика. Проверка правильности расчетов в среде "Electronics workbench". Расчет параметров и выбор трансформатора.
курсовая работа, добавлен 02.11.2014 Изучение устройства параметрического стабилизатора напряжения, его функции и назначение. Типовая структура и схема трансформаторного ИВЭ. Расчет вторичного источника питания по заданным параметрам. Определение тока коллектора регулирующего транзистора.
курсовая работа, добавлен 07.06.2013Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Обоснование структурной схемы источника питания. Определение параметров усилительного транзистора. Расчёт стабилизатора, мощности резисторов, импульсного трансформатора, входного выпрямителя и слаживающего фильтра. Выбор типоразмера магнитопровода.
курсовая работа, добавлен 16.10.2017Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 21.09.2018Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Академик Ж.И. Алферов о процессах, происходящих в российском естествознании на пороге третьего тысячелетия. Рождение квантовой физики. Открытие Джоном Бардином, Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном первого транзистора. Сущность явления сверхпроводимости.
реферат, добавлен 02.04.2012Разработка структурной схемы преобразователя. Расчет источников питания и выбор драйвера. Разработка виртуальных моделей понижающего преобразователя в программе Mathcad. Рассмотрение временных диаграмм токов и напряжений электрического транзистора.
лекция, добавлен 29.06.2016Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Энергетические зоны примесей и дефектов. Локализация электронных состояний на дефекте структуры. Теория туннельного эффекта. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннелирование электронов в твёрдых телах. Работа квантового транзистора.
контрольная работа, добавлен 23.04.2024Влияние механических напряжений в тонких сверхпроводящих YBCO пленках на их вольтамперные характеристики. Исследования вольтамперных характеристик монокристаллических, гранулярных и напряженных пленок. Повышение внутреннего давления в материале пленки.
статья, добавлен 02.02.2019Определение диапазона допустимых значений в частотной области используется подход Сешу и Уоксмена. Изучение структурной схемы программного комплекса диагностирования. Нестационарный тепловой режим транзистора, установленного на двух разных радиаторах.
статья, добавлен 08.12.2018Линейный перенос спектра сигнала на промежуточную частоту при помощи опорной частоты местного генератора. Определение коэффициента шунтирования контура выходным сопротивлением транзистора и входным сопротивлением фильтра. Расчет индуктивность катушки.
реферат, добавлен 19.11.2014Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.
реферат, добавлен 15.12.2015Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.
лекция, добавлен 03.03.2017- 97. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Методы, помогающие в изучении физики в средней школе. Электромеханические аналогии (электромагнитные и механические колебания, волновые процессы, изучение транзистора, электрические цепи, постулаты Бора). Изучение аналогий на факультативах и кружках.
учебное пособие, добавлен 19.03.2010- 99. Транзистор
Определение содержания закона потенциальной градации материи. Расчет величины контактной разности потенциалов для пары Bi-Cu. Принципы работы контактного перехода. Работа германиевого транзистора, согласно закону потенциальной градации материи.
статья, добавлен 23.11.2018 Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015