Вольтамперные характеристики транзистора (ВАХ)
Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
Подобные документы
Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.
методичка, добавлен 11.12.2015Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 19.11.2015Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
контрольная работа, добавлен 23.03.2022Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Выполение расчета блоков выпрямителя, стабилизатора и усилительного каскада. Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора. Рассмотрение рабочего режима биполярного транзистора. Вычисление h-параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.11.2018Изучение основных характеристик и особенностей работы биполярного транзистора в режиме импульсного ключа. Построение схемы измерительной цепи. Определение предельно допустимых значений токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Зависимости выходного сопротивления кремниевого ДМОП-транзистора от ширины вертикальной высокоомной части стока. Увеличение выходного сопротивления транзистора, ограничение размера транзисторной ячейки при проектировании прибора повышенной мощности.
статья, добавлен 20.07.2018Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2017Схемы включения транзистора и их обобщение. Первичные параметры транзистора и методы расчета технических показателей каскада для включения общей базы, эмиттера, коллектора. Практическое определение основных технических показателей транзисторного каскада.
курсовая работа, добавлен 27.06.2015Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016- 22. Эффект Миллера
Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.
статья, добавлен 24.05.2017 Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Изучение особенностей семейства вольтамперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. Определение недостатков биполярных транзисторов. Рассмотрение устройства и принципа работы полевых транзисторов с индуцированным каналом.
лекция, добавлен 21.10.2014