Разработка полупроводниковых тензочувствительных элементов для систем неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов
Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
Подобные документы
Свойства диэлектриков; определение относительной диэлектрической проницаемости материалов. Измерение коэффициента термического расширения электровакуумных стёкол. Электрические свойства проводниковых материалов. Исследование параметров сегнетоэлектриков.
лабораторная работа, добавлен 25.09.2017Приобретение навыков расчета простейших резонансных колебательных систем. Рассмотрение примеров резонансных элементов на основе отрезков линии передачи, изучение их преимуществ и недостатков. Коаксиальный резонатор и его отличительные черты и особенности.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2014- 103. Электронная техника
Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017 Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Нарушение работоспособности аппаратуры управления полетом ракеты. Разработка геометрии контроля и конструкции преобразователя, основанного на регистрации интенсивного потока обратно рассеянных квантов от комбинации основания экранно-защитное покрытие.
статья, добавлен 06.05.2019Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013- 110. Электронная техника
Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015 Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
реферат, добавлен 17.01.2015Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018- 113. Полупроводники
Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012 Классификация автоматических систем регулирования. Характеристики и модели элементов и систем. Измерения технологических параметров. Государственная система приборов. Виды первичных преобразователей. Приборы для измерения температуры, сопротивления.
методичка, добавлен 21.12.2015- 115. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Описание системы связанных биконических резонаторов в качестве датчика для контроля параметров диэлектриков. Определение диэлектрической проницаемости по разности частот колебаний связанных резонаторов. Соотношение амплитуд пиков колебаний резонаторов.
статья, добавлен 01.03.2017Измерительные, механические и электрические элементарные преобразователи. Промежуточные преобразователи. Основные типы полупроводниковых и фотоэлектрических преобразователей электрической энергии. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Цифровая интегральная микросхема как схема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Элементы одноступенчатой логики. Транзистор по схеме "Комплементарный металл-диэлектрик-полупроводник".
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Механические свойства материалов. Тензоры механического напряжения и деформации. Упругая и остаточная деформации. Микромеханические балки: определение, особенности математической модели. Пластины: определение, типы и особенности математической модели.
курс лекций, добавлен 26.10.2013Возможности и пути совершенствования существующих и создание новых измерительных преобразователей с частотным выходным сигналом для информационно-измерительных и управляющих систем, обладающих улучшенными техническими и эксплуатационными характеристиками.
автореферат, добавлен 30.01.2018Анализ процессов, исследование и классификация ошибок, возникающих в ходе проведения аттестационного тестирования. Разработка заявки о соответствии реализации протокола. Характеристика результатов аттестационного тестирования протоколов TCP/IP АСУ.
статья, добавлен 24.08.2020Разработка специального комплекса для комфортного контроля лежачих тяжелобольных. Экспериментальные образцы четырех тензометрических датчиков силы оригинальной конструкции. Оценка возможности регистрации дыхания, пульса и двигательной активности.
статья, добавлен 30.05.2017Ознакомление с результатами математического моделирования выбора источника излучения для дифракционного контроля регулярных рельефных структур. Разработка помехоустойчивой оптоэлектронной системы дифракционного контроля с модуляцией лазерного излучения.
статья, добавлен 29.01.2019